实验二光电导衰退测量少数载流子的寿命详解.pdfVIP

实验二 光电导衰退测量少数载流子的寿命 实验项目性质：综合实验 所涉及课程：半导体物理、半导体材料 计划学时：2 学时 一、实验目的 1．理解非平衡载流子的注入与复合过程； 2．了解非平衡载流子寿命的测量方法； 2．学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。 二、实验原理 半导体中少数载流子的寿命对双极型器件的电流增益、正向压降和开关速度 等起着决定性作用。半导体太阳能电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发 光二极管的发光效率也和载流子的寿命有关。因此，半导体中少数载流子寿命的 测量一直受到广泛的重视。 处于热平衡状态的半导体，在一定的温度下，载流子浓度是一定的，但这种 热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的 条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平 衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是 n0 和 p0，可以比它们多出一部分。比 平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称为过剩载流子。要 破坏半导体的平衡态，对它施加的外部作用可以是光，也可以是电或是其它的能 量传递方式。常用到的方式是电注入，最典型的例子就是 PN 结。用光照使得半 导体内部产生非平衡载流子的方法，称为非平衡载流子的光注入，光注入时，非 平衡载流子浓度Δn=Δp。 当外部的光注入撤除以后，注入的非平衡载流子并不能一直存在下去，它们 要逐渐消失，也是原来激发到导带的电子又回到价带，电子和空穴又成对的消失 了。最后，载流子浓度恢复到平衡时的值，半导体又回到平衡态，过剩载流子逐 渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。实验表明，光照停止后，Δp 随时 间按指数规律减少。这说明非平衡载流子不是立刻全部消失，而是有一个过程， 即它们在导带和价带中有一定的生存时间，有的长些，有的短些。非平衡载流子 的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用? 表示。由于相对于非平衡多数载 流子，非平衡少数载流子的影响处于主导的、决定的地位，因而非平衡载流子的 寿命通常称为少数载流子寿命。显然 1/? 就表示单位时间内非平衡载流子的复合 概率。通常把单位时间单位体积内净复合消失的电子-空穴对数称为非平衡载流 子的复合率。很明显，Δp/? 就代表复合率。 以光子能量略大于半导体禁带宽度的光照射样品，在样品中激发产生非平衡 电子和空穴。若样品中没有明显的陷阱效应，那么非平衡电子和空穴浓度相等， 他们的寿命也就相同。如果所采用的光在半导体中的吸收系数比较小，而且非平 衡载流子在样品表面复合掉的部分可以忽略，那么光激发的非平衡载流子在样品 内可以看成是均匀分布。假定一束光在一块n型半导体内部均匀的产生非平衡载 流子Δn和Δp。在t=0时刻，光照突然停止，Δp随时间而变化，单位时间内非平 衡载流子浓度的减少应为-dΔp(t)/dt，它由复合引起，因此应当等于非平衡载流 子的复合率，即 d?p(t) ?p(t) ? ? （1） dt ? 在非平衡少数载流子浓度Δp 比平衡载流子浓度n0 小得多，即小注入时，? 是一恒量，与Δp(t)无关，设t=0时，Δp(0)=(Δp)0，则（1）式的解为 t ?p(t) ? (?p) exp(? ) （2） 0 ? 上式就是非平衡载流子浓度随时间按指数衰减的规律。利用（2）式可以求出 非平衡载流子平均生存时间t 就是寿命? ，即 ?