7—集成电路版图设计.pptVIP

集成电路设计基础;版图设计概述;版图设计流程;*;选择工艺流程需要考虑的因素;7.1 工艺流程定义; TSMC的0.35?m沟道尺寸和对应的电源电压、电路布局图中金属布线层及其性能参数见表。;MOSIS为TSMC 0.35?mCMOS工艺定义的全部工艺层;新加坡Chartered 0.35?mCMOS工艺定义的全部工艺层;*;*;7.2 版图几何设计规则;1. 最小宽度(minWidth);TSMC_0.35?m CMOS工艺中各版图层的线条最小宽度;2. 最小间距(minSep);TSMC_0.35?m CMOS工艺版图各层图形之间的最小间隔;3. 最小交叠(min Overlap); X Y ;新加坡Chartered 0.35?mCMOS工艺设计规则;4. 设计规则举例;*;8.3 图元;1. NMOS和PMOS;NMOS 俯视图;PMOS 俯视图;2. 电阻(Resistor);多晶硅电阻;多晶硅电阻（续）;有源层电阻;有源层电阻(续);阱区电阻;电容(Capacitance);互连(Interconnect);焊盘(Pad);*;7.4 电学设计规则 ;*;*;7.5 布线规则;*;7.6 版图设计;;3. 元件布局与布线;CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程 ;;依次画出R1、并