华南理工大学半导体物理第六章课件选编.ppt

半 导 体 物 理 第六章 半导体表面及接触界面特性 华南理工大学电子与信息学院 蔡 敏 教授 第六章 半导体表面及界面特性 6.1 半导体表面态 6.2 表面电场效应 6.3 空间电荷区的进一步分析 6.4 金属与半导体接触的物理特性 6.5 金属与半导体接触的电流-电压特性 6.6 MIS结构的电容-电压特性 半导体表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断，同样也应引起附加能级。这种能级称作达姆表面能级。 在半导体表面，晶格不完整性使势场的周期性被破坏，在禁带中形成局部状态的能级分布（产生附加能级），这些状态称为表面态或达姆能级。 达姆能级：清洁表面的表面态所引起的表面能级，彼此靠得很近，形成准连续的能带，分布在禁带内。 从化学键的角度，以硅晶体为例，因晶格在表面处突然终止，在表面最外层的每个硅原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键，与之对应的电子能态就是表面态。 表面缺陷、表面粘污、表面氧化层都可以形成表面能级。 实际表面由于薄氧化层的存在，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度大大降低。 此外表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态；这种表面态的数值与表面经过的处理方法有关。 由表面态（表面能级）的性质和费米能级的位置，它们可能成为施主或受主能级，或者成为电子－空穴对的复合中心。 半导体表面态为施主态时，它可能是中性的，也可能向导带提供电子后变成正电荷，表面带正电；若表面态为受主态，表面带负电。则表面附近可动电荷会重新分布，形成空间电荷区和表面势，而使表面层中的能带发生变化。 测量表明硅表面能级分两组，一组是施主能级，靠近价带；一组位受主能级，靠近导带。 Si（111）面上的表面态密度≈8×1014cm-2 Si—SiO2交界面处，表面态密度≈1011cm-2 第六章 半导体表面及界面特性 6.1 半导体表面态 6.2 表面电场效应 6.3 空间电荷区的进一步分析 6.4 金属与半导体接触的物理特性 6.5 金属与半导体接触的电流-电压特性 6.6 MIS结构的电容-电压特性 一、表面势 以MIS（金属—绝缘体—半导体）电容器为例，金属空间电荷区很薄，可看成一层电荷，其面密度为Qsc，则： di为氧化层厚度； xd为半导体空间电荷区厚度； Vs为表面势（即：半导体表面相对于体内的电势差）. 金属和半导体中电荷分布情况不同 二、能带的弯曲 三、载流子浓度的变化 非简并时： 设内部电子、空穴浓度为n0，p0，本征费米能级为Ei0。所以， 四、积累层，耗尽层和反型层 以理想MOS为例，衬底为P型。 理想MOS： ⒈金属与半导体不存在接触电势差（费米能级一致）； ⒉氧化层中无电荷； ⒊半导体与氧化层中无表面态（界面态）。 Ｐ型样品衬底： a. 平带：VG=0时，能带无弯曲，无空间电荷区； b. 积累层：VG0时，电场由体内指向表面，能带向上弯曲，形成空穴势阱，多子空穴被吸引至表面附近，因而表面空穴浓度高于体内，形成多子积累，成为积累层。 c. 耗尽层：VG0时，表面处空穴被排斥走，当空穴势垒足够高时，表面层价带空穴极为稀少，可认为该层多子空穴被耗尽，称为耗尽层。 d. 反型层：若VG足够高，使得在表面处的少子电子浓度高于了多子空穴的浓度，则表面处导电类型就发生改变，称为反型层。 ②强反型层出现的条件（以MOS场效应晶体管的电导沟道为例）：Ｐ型衬底表面处的电子密度等于体内的空穴浓度时。 强反型层条件： 第六章 半导体表面及界面特性 6.1 半导体表面态 6.2 表面电场效应 6.3 空间电荷区的进一步分析 6.4 金属与半导体接触的物理特性 6.5 金属与半导体接触的电流-电压特性 6.6 MIS结构的电容-电压特性 空间电荷区的进一步分析 一、xd,Qsc随Vs变化的关系 xd为空间电荷区宽度；Qsc为空间电荷区密度。 ⒈平带附近情况 VG很小时，Qsc～Vs关系 LD为德拜长度，为了屏蔽外电场而形成的空间电荷区厚度。 如：Vs0，则Qsc0；若Vs0，则Qsc0; 2.耗尽层近似 P型样品，VG0时，出现耗尽层和反型层。当为耗尽层和弱反型层时，空穴基本全部丧失，电子增加又很少，因此可认为空间电荷区就等于离化了的受主负电荷，这种近似处理称为耗尽层近似。 Na为受主杂质浓度；耗尽层内全部被电离。 取体内电势为零，即V（xd）=0，则 3.强反型层出现时：Vs=2Φf 强反型层与体内之间夹着一层耗尽层，其宽度xd达到最大值。 设杂质饱和电离： 4.出现强反型层之后 半导体