第八章_薄膜材料的制备.ppt

第八章 薄膜材料的制备; 主要内容：;§1 薄膜材料基础;2. 薄膜分类 ;（4）组成 ; 薄膜材料与器件结合，成为电子、信息、传感器、光学、太阳能等技术的核心基础。 ;4.薄膜的制备方法;代表性的制备方法按物理、化学角度来分，有： ;薄膜材料基础 薄膜的形成机理 物理气相沉积 化学气相沉积 化学溶液镀膜法 液相外延制膜法 膜厚的测量与监控 ;§2 薄膜的形成机理;薄膜的生长过程分为以下三种类型： (1) 核生长型（Volmer Veber型） (2) 层生长型（Frank-Vanber Merwe型） (3) 层核生长型（Straski Krastanov型） ; (1) 核生长型（Volmer Veber型） 特点：到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核，后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近，使核在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶格不相匹配（非共格）时出现，大部分的薄膜的形成过程属于这种类型。 ;核生长型薄膜生长的四个阶段： a. 成核：在此期间形成许多小的晶核，按同济规律分布在基片表面上； b. 晶核长大并形成较大的岛：这些岛常具有小晶体 的形状； c. 岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络 d. 沟道被填充：在薄膜的生长过程中，当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后，另外再撞击的离子不会形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。;(2) 层生长型（Frank-Vanber Merwe型） 特点：沉积原子在衬底的表面以单原子层的形式均匀地覆盖一层，然后再在三维方向上生长第二层、第三层……。 一般在衬底原子与沉积原子之间的键能接近于沉积原子相互之间键能的情况下（共格）发生这种生长方式的生长。 以这种方式形成的薄膜，一般是单晶膜，并且和衬底有确定的取向关系。例如在Au衬底上生长Pb单晶膜、在PbS衬底上生长PbSe单晶膜等。 ;(3) 层核生长型（Straski Krastanov型） 特点：生长机制介于核生长型和层生长型的中间状态。当衬底原子与沉积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能的情况下（准共格）多发生这种生长方式的生长。 在半导体表面形成金属膜时常呈现这种方式的生长。例如在Ge表面上沉积Cd，在Si表面上沉积Bi、Ag等都属于这种类型。 ;薄膜材料基础 薄膜的形成机理 物理气相沉积 化学气相沉积 化学溶液镀膜法 液相外延制膜法 膜厚的测量与监控 ;§3 物理气相沉积;1.真空蒸发镀膜;装置 真空系统、蒸发系统、基片撑架、挡板、监控系统;1.2.1 真空蒸发镀膜; 利用蒸发、溅射沉积或复合的技术，不涉及到化学反应,成膜过程基本是一个物理过程而完成薄膜生长过程的技术,以PVD为代表。 ; ;Natural World “Atomic-World”;真空蒸发镀膜;;2. 工艺方法;2）电子束加热 ;3）高频感应加热 ;（2）对于化合物和合成材料，常用各种蒸发法和热壁法。 ;;4）三温度蒸发； ;6）分子束外延(MBE) ;外延（Epitaxy）外延是指单晶衬底上形成单晶结构的薄膜，而且薄膜的晶体结构与取向和衬底的晶体结构和取向有关。外延方法很多，有气相外延法、液相外延法、真空蒸发外延法、溅射外延法等。. ; 压应变（ae as） 同质外延（ae= as） 张应变（ae as ） The presence of strain can modify the physical properties of epitaxial films.The cause of strain is primarily the difference between the lattice spacing of substrate and film parallel the surface, or the “lattice mismatch”.;?; Strain alter d spacings, while alter θvalues;原 理： 在超高真空条件下，将各组成元素的分子束流以一个个分子的形式喷射到衬底表面，在适当的温度下外延沉积成膜。;7） 脉冲激光沉积(PLD);2. 蒸镀用途;7.2.3 溅射镀膜（sputtering deposition） ;1.2.1 真空蒸发镀膜;1.2.1 真空蒸发镀膜;1.2.1 真空蒸发镀膜;1.2.1 真