电子微电10级《微电子技术综合实践》任务书.docVIP

《微电子技术综合实践》任务书 题目二：p阱CMOS芯片的设计 任务分配及其目的： 1. 全班共2个大题目，每个题目需要5个小组来完成，每小组2~4人。设计任务包括器件特性的模拟、结构参数设计与优化、工艺流程的模拟、工艺条件的设计与优化、光刻版图的设计、设计参数验证及工艺方案的确定等； 2. 具体设计任务分为必做和选做两部分。必做内容要求每位同学都必须完成，选做部分由同学自由选择。每位同学各自的侧重点不同，其设计内容之间有一定的联系。要完成自己的具体任务，必须搞清楚整个题目所包含的知识点。所以，整个题目形成一个既要集体合作又要分工协作的纽带。 3．从整个完成情况可以考察学生对专业基础课程（《半导体器件物理》和《集成电路工艺原理》）内容的掌握情况，同时又可帮助学生在两周内能熟悉半导体器件的设计与集成电路的制作工艺过程，即从芯片结构、器件特性设计、工艺流程分析、工艺条件确定、参数验证、版图设计、实施方案确定及考虑实际工艺中的影响因素等一系列过程。 4. 通过利用计算机软件来很好地分析结构与工艺参数及其优化问题，可以使学生学会利用计算机软件来分析、优化实际工艺参数设计问题。 题目二：p阱CMOS芯片制作工艺设计 一．设计参数要求 1. 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥25V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn=600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS=≥25V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp=220cm2/V·s） 2. 结构参数参考值： N型硅衬底的电阻率为20??cm；垫氧化层厚度约为600 ?；氮化硅膜厚约为1000 ?； P阱掺杂后的方块电阻为3300?/?，结深为5~6?m； NMOS管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为25?/?，结深为0.3~0.5?m； PMOS管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为25?/?，结深为0.3~0.5?m； 场氧化层厚度为1?m；栅氧化层厚度为500 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 二．设计内容 1. MOS管的器件结构参数确定；（选做其中一项） MOS管的器件特性模拟与优化（用ISE软件） MOS管的器件特性参数设计计算 确定p阱CMOS芯片的工艺流程，（选做其中一项） 根据设计参数进行p阱CMOS芯片工艺流程模拟（用ISE软件） 画出每步对应的剖面图； 根据结构参数要求设计p阱CMOS芯片的工艺参数，并验证；（选做其中一项） 工艺条件的优化（用ISE软件） 掺杂工艺参数计算：分析、设计实现p阱、pMOS和nMOS源漏区掺杂的工艺方法和工艺条件（给出具体温度、时间或剂量、能量等），并进行膜厚验证； 薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化、栅氧化、多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等的工艺方法和工艺条件(给出具体温度、时间或流量、速度等)，并进行结深验证； 分析光刻工艺，画出整套光刻版示意图； 设计参数验证 工艺条件与参数验证； 结构参数验证 给出p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果）（必做） 三、任务分配 组 别（二）具体设计任务 第1组（2人） ① ② 以器件特性模拟为主（用ISE软件） 内容1 a)、2 b)、4b)、5必做，其他内容选作第2组（2人） ① ② 以芯片工艺模拟为主（用ISE软件） 内容2 a)、3 a)、4a)、5必做，其他内容选作第3组（4人） ① ② ③ ④以计算为主，进行器件特性和掺杂工艺设计 内容1 b)、2 b)、3b)、5必做，其他内容选作第4组（3人） ① ② ③以计算为主，进行器件特性和薄膜工艺设计 以内容1 b)、2 b)、3c)、5为主，其他内容选作第5组（3人） ① ② ③以计算为主，进行器件特性和光刻版图设计 以内容1 b)、2 b)、3d)、5为主，其他内容选作 参考资料： 王蔚，田丽，任明远编著，《集成电路制造技术——原理与工艺》，电子工业出版社，2010 Donald A. Neamen著，赵毅强等译《半导体器件物理》电子工业出版社 李乃平主编，《微电子器件工艺》，华中理工大学出版社，1995 陈贵灿，邵志标等编，《CMOS集成电路设计》，西安:西安