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材料化学专业实验终稿
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实验一、室温固相反应合成硫化镉半导体材料及差热分析 5
一、实验目的
1、学习室温固相反应法合成半导体材料的方法;
2、了解用热分析方法研究化合物的热稳定性;
3、练习固液分离操作和加热设备的使用。
二、实验原理
室温固相反应是近几年发展起来的一种新的研究领域。利用固相反应可以合成液相中不易合成的金属配合物、原子簇化合物、金属配合物的顺反几何异构体,以及不能在液相中稳定存在的固相配合物等。同时,由于固、液相反应过程中的反应机理不同,有时还可能产生不同的反应产物,因而有可能制得一些特殊的材料。
利用室温固相反应法合成精细陶瓷材料的研究刚刚兴起。与常用的气相法、液相法及固相粉碎法相比,它具有明显的优点,如合成工艺大大简化、原料的用量及副产物的排放量都显著减少;同时由于减少了中间步骤并且是低温反应,还可以避免粒子团聚,有利于产物纯度提高。
CdS是典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,在颜料、光电池和敏感材料领域有着重要的应用。其常用的合成方法是镉盐沉淀法和气相反应法。本实验用镉盐与硫化钠在室温一步反应法制备CdS,现象明显,反应速度快。合成产物的结构经X射线衍射分折符合JCPDS卡片100454,分别在26.5°、44°、52°处出现最强的衍射峰(见图1)。CdS的热稳定性可用差热分析(DTA)和热重分析(TG)同时分析。图2是CdS在空气气氛中的DTA-TG曲线,555.7℃的放热峰及伴随的增重现象可认为是CdS被氧化生成了CdSO4,382.3℃的微弱吸热峰和伴随的轻微的失重现象可以为是CdS表面吸附物的脱去或少量CdS被氧化成了CdO。由此表明CdS在500℃以下是稳定的,超过500℃即明显被氧化。
图1 合成样品的XRD图
图2 合成样品的DTA-TG图
三、仪器与试剂
仪器 小研钵,离心试管,小坩埚,多用滴管,烘箱,马弗炉,离心机,差热分析仪或X射线衍射仪(或红外光谱仪)。
药品 CdSO4(s)[或CdCl2(s),Cd(NO3)2(s)],Na2S(s),1.0mo1·L-1BaCl2溶液,pH试纸。
四、固相反应原理
固相反应可分为4 个阶段:扩散- 反应- 成核- 生长,即在热力学可行的条件下,固相反应的发生起始于两个反应物分子的扩散接触,接着发生化学作用,生成产物分子;当产物分子集积到一定大小,才能出现产物的晶核,从而完成成核过程;随着晶核的长大,达到一定的大小后便出现产物的独立晶相[6] 。本文通过充分混合研磨,反应物ZnSO4·7H2O 与Na3PO4·12H2O 中的结晶水释放出来,在反应物表面形成液膜,使部分反应物溶解,溶解的反应物在液膜中有较快的传质速度,增大了反应物分子间的扩散接触,因而能加快固相反应的进行。另外,反应物在充分混合研磨过程中,反应微粒间互相碰撞,迅速成核,由于固相反应中离子通过各物相的扩散速度相对于溶液中要慢得多,结果晶核不能迅速生长,根据结晶学原理,若成核速度快而生长速度慢,易生成粒径小的产物。
本文在室温固相法合成磷酸锌中引入表面活性剂,适量的表面活性剂能有效地降低小粒子的表面能,抑制粒子的团聚现象,有利于得到尺寸较小的粒子。实验发现,加入适量的表面活性剂,可改善产物的分离,烘干后所得到的磷酸锌粉末比较蓬松。
五、实验步骤
1.按0.5gCdS的产量设计应加入CdSO4·8H2O和Na2S·9H2O的量,用台秤称量后置于小研钵中研磨10-20min,即生成橙红色的CdS。
2.将产物用去离子水洗涤五遍以上,上层清液用多用滴管吸出,用pH试纸检验清液的pH值≤6,且用BaCl2检验无沉淀生成为止。得到纯净的CdS沉淀。
3.洗净的沉淀转移至离心试管离心分离(或用砂芯漏斗减压过滤)。吸净上层清液后称重,计算产率。
4.在自己的离心试管上贴上标签,放入105℃的烘箱中烘干样品(一般需0.5h以上)。
此烘干样品可用于进行热分析。如做XRD分析,为了使X射线衍射(XRD)图效果更明显,可将该样品于马弗炉中400℃煅烧1-2h,使晶形趋于完整。
5.在差热分析仪上测绘DTA—TG曲线。确定合成产物的热稳定性变化;
(1)打开仪器电源,预热20分钟。先在两个小坩锅内分别准确称取CdS和?-Al2O3 各5 mg。升起加热炉,逆时针方向旋转到左侧。用热源靠近差热电偶的任意一热偶板,若差热笔向右移动,则该端为参比热电偶板,反之,为试样板。用镊子小心将样品放在样品托盘上,参比放在参比托盘上,降下加热炉(注意在欲放下加热炉的时候,务必先把炉体转回原处,然后才能放下炉子,否则会弄断样品架)。
(2)打开差热仪主机开关,接通冷却水,控制水的流量约在300 ml/min左右。
(3)打开平衡记录仪开关,分别将差热笔和温度笔量程置于20 mV
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