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双极型半导体3极的特性曲线
2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线; 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。; 简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其
中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。
当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE0,集电结已进入反
偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB
增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增
加时,曲线右移很不明
显。曲线的右移是三极
管内部反馈所致,右移
不明显说明内部反馈很
小。输入特性曲线的分
区:①死区 ②非线性区
③线性区
图02.05 共射接法输入特性曲线
; (2)输出特性曲线; 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时,如
vCE ≥1 V
vBE ≥0.7 V
运动到集电结的电子
基本上都可以被集电
区收集,此后vCE再增
加,电流也没有明显
的增加,特性曲线进
入与vCE轴基本平行的
区域 (这与输入特性曲
线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线
原因是一致的) 。(动画2-2)
; 输出特性曲线可以分为三个区域:
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