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双极型半导体3极的特性曲线

2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线; 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。; 简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响,在讨论输入特性曲线时,应使vCE=const(常数)。; 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE0,集电结已进入反 偏状态,开始收集电子,且基区复合减少, IC / IB 增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增 加时,曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致,右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区:①死区 ②非线性区 ③线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 ; (2)输出特性曲线 ; 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时,如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集,此后vCE再增 加,电流也没有明显 的增加,特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。(动画2-2) ; 输出特性曲线可以分为三个区域:

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