《微电子学概论》—ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺.pptVIP

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2017-04-20 发布于北京
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《微电子学概论》—ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺.ppt

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《微电子学概论》—ch4集成电路制造工艺双极集成电路工艺

集成电路制造工艺;上一次课的主要内容;制作埋层（减小集电极串联电阻）初始氧化，热生长厚度约为500～1000nm的氧化层（隐埋扩散的掩蔽层）光刻1#版（埋层隔离版），利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉，并去掉光刻胶进行大剂量As+注入并退火，形成n+埋层;生长n型外延层利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层将硅片放入外延炉中进行外延，外延层的厚度和掺杂浓度一般由器件的用途决定;形成横向氧化物隔离区（I）热生长一层薄氧化层，厚度约50nm 淀积一层氮化硅，厚度约100nm 光刻2#版(场区隔离版） ;形成横向氧化物隔离区（II）利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化硅层-氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉进行硼离子注入（形成沟道阻挡）;形成横向氧化物隔离区（III）去掉光刻胶，把硅片放入氧化炉氧化，形成厚的场氧化层隔离区去掉氮化硅层 ;;P＋型基区注入（形成基区接触）：光刻5#版(基区接触孔版)，利用光刻胶将发射极和收集极接触孔保护起来，暴露出基极接触孔进行大剂量的硼离子注入，形成基区接触。;;金属化淀积金属，一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等光刻7#版(连线版)，形成金属互连线合金：使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触，一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20～30分钟形成钝化层在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅光刻7#版(钝化版) 刻蚀氮化硅，形成钝化图形