第二章氧化程序.pptxVIP

半导体工艺原理;第二章 氧化;2.1、SiO2的结构及性质;结晶形SiO2 由Si-O四面体在空间规则排列构成 每个顶角的O原子与两个相邻四面体中心的Si原子形成共价键;Si-O四面体在空间的排列无规则，大部分O与相邻的两个Si-O四面体的Si形成共价键（称为桥键氧），也有一部分O只与一个Si-O四面体的Si形成共价键（称为非桥键氧）；;SiO2的主要性质;网络形成者的价键数与Si不同，离子半径与Si接近，如B、P都是网络形成者。;一般以离子形式存在，离子半径较大，替代硅的可能性很小。例如Na、K、Pb、Ba等都是网络改变者。;2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数;硼、磷一类常用杂质在SiO2中的扩散系数很小， SiO2薄膜对这类杂质是一种很理想的扩散掩蔽膜。 镓在SiO2中的扩散系数非常大，所以SiO2对镓这类杂质就起不到掩蔽作用。 某些碱金属离子，如钠离子，在SiO2中的扩散系数和迁移率都非常大。如果SiO2层玷污钠离子，即使在很低的温度下，只需很短的时间就能扩散到整个SiO2层中。钠离子的玷污是造成器件性能不稳定的重要原因之一，应该尽量避免钠一类离子的玷污。 ; 杂质在Si中和SiO2中的运动都服从扩散规律，往往假定当SiO2表面处的杂质浓度与Si-SiO2 界面处的杂质浓度之比为103 时，就认为SiO2层起到了掩蔽作用。根据这样的假设和杂质在SiO2中的分布规