第7章三五族化合物半导体.pptVIP

半导体材料;外延生长;薄膜制备技术 ; 经过数十年的发展，CVD已经成为半导体生产过程中最重要的薄膜沉积方法。PVD的应用大都局限在金属膜的沉积上；而CVD几乎所有的半导体元件所需要的薄膜，不论是导体，半导体，或者介电材料，都可以沉积。 在目前的VLSI及ULSI生产过程中，除了某些材料还在用溅镀法之外，如铝硅铜合金及钛等，所有其他的薄膜均用CVD法来沉积。;物理气相淀积(PVD);;化学气相沉积（CVD）也称为气相外延 （Vapor－phase epitaxy，VPE）， 是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺，CVD工艺包括 常压化学汽相淀积(APCVD)(Atmospheric pressure CVD) 低压化学汽相淀积(LPCVD) 等离子增强化学汽相淀积(PECVD)(Plasma Enhanced CVD) 金属有机化学气相沉积（MOCVD） 激光化学气相沉积等;CVD法的基本原理和过程 化学气相沉积是利用气态物质在一固体材料表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。CVD在本质上是一种材料的合成过程，其主要步骤有： （1）反应剂被携带气体进入反应器后，在基体材料表面附近形成边界后，然后在主气流中的反应剂越过边界扩散型材料表面。 （2）反应剂被吸附在基体材料表面，并进行化学反应。 （3）化学反应生成的固态物质，即所需要的沉积物，在基体材料表面成核，生长成薄膜。 （4）反应后的气相产物离开基体材料表面，扩散回边界层，并随输运气体排出反应室。;CVD工艺特点： （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点。 因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了 缺陷生成; 设备简单，重复性好； （2）薄膜的成分精确可控； （3）淀积速率一般高于PVD（如蒸发、溅射等） （4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好。 （5）极佳的覆盖能力;; 砷化镓气相外延 砷化镓气相外延又可分为氯化物法、砷烷—镓源法、金属有机化合物(MOCVD)法和改进了的MOCVD法－光激励外延法等。 MOCVD工艺主要通过金属有机化合物在热分解瞬间实现与有关元素的化合、结晶并形成薄膜。 改进的MOCVD法－光激励外延法，利用水银灯进行照射，使金属有机化合物发生光激励反应。已被用来制作异质结及超晶格等新型元件。;砷化镓气相外延;砷化镓气相外延;;;;;;;;MOCVD;金属有机化学汽相淀积（MOCVD）是在汽相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料，以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。MOCVD是在常压或低压（≈10kPa）下于通H2的冷壁石英反应器中进行，衬底温度为600-800℃，用射频加热石墨支架，H2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的MOCVD设备都由源供给系统、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理和安全防护及毒气报警系统构成。 ;与常规的氯化物输运外延（VPE）相比，MOCVD具有下列一系列优点：?　 （1）、适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体；?　 （2）、非常适合于生长各种异质结构材料；?　 （3）、可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡；?　 （4）、生长易于控制；?　 （5）、可以生长纯度很高的材料；?　 （6）、外延层大面积均匀性良好；?　 （7）、可以进行大规模生产。;;; 根据生长外延层的组分、厚度、结构精确控 制其气体浓度、送入时间、顺序、总气体流 速以及衬底温度等 ;;;;液相外延法是由过冷合金液相(或过饱和合金液相)，在晶片表面析出，使之形成外延层。 液相外延生长法应用较早，现已逐渐被其他新方法（如MOCVD法及MBE法）所取代。 ;优点 生长设备比较简单； 生长速率快； 外延材料纯度比较高； 掺杂剂选择范围较广泛； 外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低； 成分和厚度都可以比较精确的控制，重复性好； 操作安全。 缺点 当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生长困难；由 于生长速率较快，难得到纳米厚度的外延材料；外 延层的表面形貌一般不如气相外延的好。; 在超真空（10-6~10-9Pa）容器内蒸发金属，获得金属分子束，并使之碰撞在基片上进行外延生长。 优点：生长真空度高、温度低和生长速度小。 不足之处：成本昂贵且不适用于同时多个衬底生长。;化学束外延CBE;作业七