消弧产品的分析和对比.doc

项目技术方案分析 第  PAGE 5 页 消弧产品的分析和对比 1、YTX通用型消弧装置 1.1、型号说明： 1.2、YTX一次系统图 1.3 、工作原理： 在系统3—35KV线路中一旦发生弧光接地过电压，微机消弧控制器向故障相真空接触器发出合闸命令，故障相真空接触器快速动作，在2个周波内将弧光接地转化为金属性接地。故障点因弧光过电压为零而立即熄弧，非故障相过电压稳定在 1.7倍的额定相电压，可以长时间安全运行（国家规程要求2小时）。 1.4、通用型消弧装置在运行情况分析 消弧柜主要应用在系统对地电容电流较大的电网中，弧光接地时电流较大，对系统危害也极大，具体分析如下：假设C相对地发生弧光接地， C相真空接触器合闸，则弧光接地转为金属接地，这样C相和A相、B相通过对地电容电流形成相间瞬间短路。我们都知道电容特性是：电压不能发生突变，但在充放电时电流极大。则C相消弧单元的限流熔断器熔断。所以这种消弧装置动作后要求进线柜跳闸，这是不符合系统运行规程的。规程中规定中性点不接地系统发生单相对地短路时可运行2小时，不允许进线跳闸。因此这种消弧柜在系统出现故障时，将进一步造成系统出现过电压和谐振，最终导致此类型消弧柜动作后熔断器短路系统容性电流而发生爆炸。所以从原理上来说只要系统发生故障时，该类消弧柜动作后熔断器爆炸是必然的，不炸才是偶然的。 2、MXJD单相接地管理系统 2.1、型号说明： 2.2、MXJD单相接地管理系统一次系统图 2.3、工作特点及缺陷： 单相接地管理系统主要由过电压抑制柜、消弧柜、消弧线圈柜组成，理论具有过电压抑制、消除弧光、小电流选线及PT保护功能，有型式试验报告，但有报告不等于实现其功能，主要看相关的试验项目和标准，但MXJD单相接地管理系统确实是目前几种消弧、过电压抑制方法的罗列， 与新型消弧消谐选线装置相比，采用故障相接地法的消弧装置具有造价高、占地面积在等缺点，对线路发生的单相接地也能够消弧。但是，该技术的存在严重的技术缺陷，会对安全供电产生严重危害，甚至造成大面积停???，应禁止使用。 系统中存在同一接地方式多点接地 接地变是为中性点不接地的电力系统提供一个人为的中性点，然后经一个消弧线圈接地，与消弧线圈一起构成电力系统的接地保护。防止系统单相接地故障时接地点的间歇电弧对系统产生过电压而扩大事故。在消弧线圈接地系统中，增设单相接地管理系统，这样使同一个系统中存在两个或多个接地点，是国家标准不允许的，在10kV电压等级消弧线圈接地装置的运行方式中要求：两段接地变中性点母线消弧线圈接地装置，在10kV母联开关处于合闸位置时，必须切开任一段母线上的接地变消弧线圈接地装置的开关。即同一系统不允许两台接地变压器接地装置并列运行。且在继电保护的互跳和联锁上也使两台接地装置必须分列运行。 可控硅并列消弧线圈方案缺少理论基础 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一，高压可控硅最高耐压1600V。而消弧线圈中性点的电压为：系统电压/√3,远远高于可控硅的耐压，可控硅的绝缘问题和空间安全距离不容易解决，成本很高。且工作时完全导通来降低结电压产生的损耗，否则极易损坏。 3、12kV软开关触点开关消弧装置 3.1、型号命名 ：MXJD-C-12kV 软开关触点开关消弧装置 3.2、 MXJD软开关触点开关消弧装置一次系统图 3.3、MXJD软开关触点开关消弧装置工作原理 消弧原理和通用型消弧装置原理有了较大的改变，在系统3—35KV线路中一旦发生弧光接地过电压，微机消弧控制器向故障相真空接触器发出合闸命令，故障相真空接触器快速动作，在2个周波内将弧光接地转化为金属性接地，故障点因弧光过电压为零而立即熄弧。同样是采用的单相真空接触器来转换接地方式，且在故障相增加了3只2.5kW的线性电阻，与前两种类型的消弧装置在限制接地电流的方式上明显不同，应不能归纳为同一型号的产品。《GB／T_11022-2011高压开关设备和控制设备标准的共用技术要求》6.1款C项目规定： MXJD软开关触点开关消弧装置在使用材料和工艺上有了明显的差别，应做相应的型式试验，并取得报告才能在系统中使用。 3.4、MXJD软开关触点开关消弧装置工作缺陷 采用线性电阻接地来吸收谐振能量和消除过电压，同时消除弧光接地。具体动作分析如下：假设C相对地弧光接地，C相真空接触器合闸，则弧光接