李建军-半导体器件模拟及数值分析第四章晶体管的模拟选编.ppt

第四章 双极晶体管特性模拟; 四十年代末双极晶体管问世后不久，就出现了其理论模型。为了能用解析方法求解这些微分方程，做了许多近似处理（例如小注入，基区杂质均匀分布等），然而实际晶体管往往并不满足这些近似，所以得到的结果一般没有实际意义。采用数值分析的方法取消了那些近似条件，可以求出符合实际模型的结果。;抽象的BJT模型;基本方程及边界条件;一维形式;4.1.1基本方程;;;4.1.2 边界条件;4.1.2 边界条件;4.1.2 边界条件;4.1.2 边界条件;4.1.2 边界条件;4.1.2 边界条件;4.1.2 边界条件;基区中点的空穴浓度为;4.1.2 边界条件;npn晶体管稳态方程;4.2.1 稳态的基本方程;4.2.2 基本方程差分化;连续性方程的差分方程;4.2.2 基本方程差分化;4.2.2 基本方程差分化;差分方程;4.2.3 差分方程线性化;4.2.3 差分方程线性化;4.2.3 差分方程线性化;3;npn晶体管稳态方程;4.2.4 基区中点方程;4.2.4 基区中点方程;4.2.4 基区中点方程;4.2.4 基区中点方程;4.2.4 基区中点方程;4.2.4 基区中点方程;4.2.4 基区中点方程;npn晶体管稳态方程;4.2.5 迭代运算的初值;4.2.5 迭代运算的初值;4.2.5 迭代运算的初值;4.2.5 迭代运算的初值;§4-3npn晶体管瞬态模型; 二极管瞬态特性的模拟，是首先建立二极管稳态或直流模型，已知t=t0时刻的有关电学参量，通过对时间的差分，得到二极管的瞬态模型。 对晶体管而言，同样可以在直流模型的基础上对时间差分，得到其瞬态模型。 二极管模型和晶体管模型之间的关系以及直流特性和瞬态特性计算间的关系示于图4-1。;npn晶体管的瞬态模型;计算举例;一、计算用的数据输入 1. 掺杂函数的确定;一、计算用的数据输入;一、计算用的数据输入;一、计算用的数据输入;一、计算用的数据输入;一、计算用的数据输入;区域;1.数据表; 由图4-4可以看出，在发射结偏压较低(0.5~0.74V)时，从发射极注入的电子浓度随距离的增加而衰减，在位于x=15μm处的集电结上，电子浓度最小。这是小注入状态的典型分布。; 集电结存在一个高的负电场区，或者等效地说，在集电结区内清楚地存在着一个集电结耗尽层（如图4-5c所示）。出现在集电结耗尽层内的最小电子浓度是一个随VBE而变的函数。; 接下来观察空穴的分布。在外加VBE时，存在于P型基区内的空穴反相地注入到发射区，如图4-4所示，虽然靠近发射结x=5μm处的发射区内的非平衡空穴浓度向左侧陡峭地衰减下去，但是发射区内的非平衡空穴浓度却仍有很大的数值。在较低的偏置条件下，集电结一侧的空穴分布几乎具有相同的形状，即接近耗尽层时空穴陡峭低衰减。在绝大部分基区内，电子浓度远低于空穴浓度，而多数载流子和少数载流子浓度之间的很大差别正式小注入;下面研究同样低偏置时的电场分布。在发射结处，有一个对应于势垒的很窄的正峰(如图4-5a)，峰值随着VBE的增加而降低。因而引起电子和空穴的注入在向基区过渡时，电场改变符号并且变小。为了清楚，;该负峰有助于收集已到达集电区边界的电子，位于更右侧的区域（峰）已不包含非平衡载流子，因此他简单地起欧姆电阻的作用。; B 发射结高压正偏置 当VBE=0.76V以上时，电子分布的形状基本上是在集电结内发生变化。随着VBE增大耗尽层消失而被大量的非平衡电子和空穴所充满，这些现象正是大注入状态的特征。称为基区扩展效应。 VBE进一步加大，非平衡电子和空穴将会扩展到高阻集电区中去，在VBE=0.9V时，分布的尾部几乎达到??掺杂的集电区扩散区。 ;VBE=0.5~0.9V, VBC=-1V时载流子分布;发射区电场分布;基区电场分布;集电区电场分布;2.计算结果与器件内部的现象;小注入;计算举例;基区电场分布;集电区电场分布;2.计算结果与器件内部的现象;计算结果（续）;作业 1. 说明npn晶体管的边界条件和二极管有什么不同，需要增加什么附件条件？说明原因。