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微电子技术;一、引 言;一、引 言;1、微电子技术应用;微电子无处不在： 公共汽车IC卡、银行储蓄卡和信用卡、小区智能卡、电子手表、语言贺卡和玩具、电子琴、手机、洗衣机、电视机、电话机等等日常生活用品中都有芯片（微电子）。; 1948年BELL实验室发明第一只晶体管——微电子技术第一个里程碑；;人的头发 ;3、向微米工艺的极限挑战;电子管 晶体管 场效应管（厚膜） 薄膜晶体管;电子管又称“真空管”（Vacuum Tube） 电子管拥有三个最基本的极 阴极(Cathode, K)：释放出电子流 屏极(Plate，P) ：吸引和收集阴极发射的电子 （集极） 栅极(Gird, G)：控制电子流的流量 电子管的放大作用 直热式三极管灯丝（Filament）的制作材料 钨丝 钍钨合金 氧化硷土 ;;;2．晶体管;;场效应管与晶体管的区别;? N沟道增强型MOS场效应管结构;? N沟道耗尽型MOS场效应管结构;? 结??场效应管（JFET)结构;4、薄膜晶体管 (TFT );Ga-doped ZnO;;“集成电路”(Integrated Circuit，IC)把由若干个晶体管、电阻、电容等器件组成的、实现某种特定功能的电子线路，集中制造在一块小小的半导体芯片上 集成度发展神速 1962：几个、 1965：近100个（IC ） 1967：100~1000个（中规模IC ） 1967-1973：1000—10000个（LSIC）1978：达10万~100万个单元（VLSIC） 目前集成度已突破千万单元 ;100个晶体管以下的集成电路称为小规模集成电路 100—1000个晶体管的集成电路称为中规模集成电路 1000个晶体管以上的集成电路称大规模集成电路 10万个晶体管以上的集成电路称超大规模集成电路 ;第一代（以厘米为尺度的电子管）电子管计算机（1946-1957） 第二代（以毫米为尺度的半导体）晶体管计算机（1959-1964） 第三代小规模集成电路计算机（1964-1970） 第四代大规模集成电路计算机（1970-） ;;超大规模集成电路;集成电路中的基本元件结构 阴极 阳极 集电极 基极 发射极 源极 栅极 漏极 N P N P N+ N+ 金属 N+ P型衬底 P型衬底 P型衬底 P型阱 PN结二极管 NPN晶体管 nMOS晶体管 ;双极集成电路工艺 砷 注 入 SiO2 SiO2 p-Si 衬底 （a）埋层制备 ;双极集成电路工艺 N外延层 P衬底 N+ 埋层 (b) 外延层制备 ;双极集成电路工艺 光致抗蚀剂 钝化层 N外延层 N+ P （c）隔离区窗口制备;双极集成电路工艺 沟道隔断区硼离子注入 N N