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现代功率半导体器件 现代功率半导体器件—IGBT IGBT概述 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT的结构 IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E，由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管GTR组合而成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 图1-1 IGBT截面剖视图 IGBT的工作原理 IGBT是在功率MOSFET的基础上发展起来的，两者结构十分类似，不同之处是IGBT多一个P+层发射极，可形成PN结J1，并由此引出漏极；门极和源极与MOSFET相类似。 IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。门极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。在门极上施以负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即为关断。 VDS为负时：J3结处于反偏状态，器件呈反向阻断状态。 VDS为正时：VGVT，沟道不能形成，器件呈正向阻断状态。VGVT，绝缘门极下形成N沟道，由于载流子的相互作用， 在N-区产生电导调制，使器件正向导通 关断时拖尾时间： 在器件导通之后，若将门极电压突然减至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使漏极电流有所突降，但由于N-区中注入了大量的电子、空穴对，因而漏极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。 锁定现象：由于IGBT结构中寄生着PNPN四层结构，存在着由于再生作用而将导通状态锁定起来的可能性，从而导致漏极电流失控，进而引起器件产生破坏性失效。出现锁定现象的条件就是晶闸管的触发导通条件： α1 +α2 =1 a. 静态锁定： IGBT在稳态电流导通时出现的锁定，此时漏极电压低，锁定发生在稳态电流密度超过某一数值时。 b. 动态锁定：动态锁定发生在开关过程中，在大电流、高电压的情况下、主要是因为在电流较大时引起α1和α2的增加，以及由过大的dv/dt引起的位移电流造成的。 c. 栅分布锁定：是由于绝缘栅的电容效应，造成在开关过程中个别先开通或后关断的IGBT之中的电流密度过大而形成局部锁定。 ——采取各种工艺措施，可以提高锁定电流，克服由于锁定产生的失效。 IGBT的基本特性 静态特性 转移特性 b） 输出特性 集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系。 开启电压UGE(th)----最低栅射电压。 图3-1 IGBT的转移特性和输出特性 c） 饱和电压特性： IGBT的电流密度较大，通态电压的温度系数在小电流范围内为负。大电流范围为正，其值大约为1.4倍／100℃。 图3-2 饱和电压特性 d） 开关特性： 与功率MOSFET相比，IGBT通态压降要小得多，1000V的IGBT约有2~5Ｖ的通态压降。这是因为IGBT中N－漂移区存在电导调制效应的缘故。 图3-3 开关特性 动态特性 图3-4 IGBT的开关过程 开通过程： t d(on) ：开通延迟时间 tri ：电流上升时间 tfv1 ，tfv2 ：漏源电压下降时间 tfv1 ：MOSFET单独工作时的电压下降时间。 tfv2 ：MOSFET、PNP管同时工作时的电压下降时间。随漏源电压下降而延长；受PNP管饱和过程影响。 关断过程： t d(off) ：延迟时间 trv ：VDS上升时间 tfi2 ：PNP晶体管中存储电荷决定，此时MOSFET已关断，IGBT又无反向电压，体内存储电荷很难迅速消除，因此下降时间较长，VDS较大，功耗较大。一般无缓冲区的，下降时间短。 开关时间：用电流的动态波形确定开关时间。 ①漏极电流的开通时间和上升时间： 开通时间：ton= t d(on)+ tri 上升时间： tr = tfv1 + tfv2 ②漏极电流的关断时间和下降时间： 关断时间：toff = t d(off) + t rv 下降时间：tf = t fi1+ t fi2 ③反向恢复时间：trr 开关时间与漏极电流、门极电阻、结温等参数的关系： 开关损耗与温度和漏极电流