硅的化学制备及提纯.docVIP

硅的化学制备及提纯 摘要： 随着时代的发展，硅越来越被人类所利用。它广泛应用于半导体，光导纤维等领域。硅一般按照它的纯度来分类，纯度里面含有多少个九，我们就称它为多少个N的硅。 MGS5N； 半导体级硅：5N ；SGS:5N-8N ；EGS:9N-11N及以上，因而硅的纯度对器件的影响是至关重要的，所以我们必须应当尤其重视硅的提纯。目前提纯硅的方法主要有：物理方法及化学方法。以化学方法为例，分析了硅化学提纯中产生的成本问题就其讨论。对硅材料的化学提纯工艺优化研究。 引言： 功能材料硅的工业制法硅是由石英砂在电炉中用碳还原 而得 其，反应式为 sio2 + 3c = sic + 2co 2sic + sio2 = 3si + 2co 所得硅纯度约为95％～99%，称为粗硅 又称冶金级硅，其中含有各种杂质，如 Fe 、 C、B、P等。为了将粗硅提纯到半导体器 件所需的纯度， 硅必须经过化学提 纯。所谓硅的化学提纯 把硅用化学方法转化为中间化合物 再将中间化合物提纯至所 需的高纯度，然后再还原成为高纯硅。 1.三氯氢硅氢 还原法可分为三个重要 过程： 一 是中间化合物三氯氢硅的合成。 二 是三氯氢硅的提纯 三 是用氢还原三氯氢硅获得高纯硅多晶 三氯氢硅 (SiHCl3 ) 由 硅粉与氯化氢合成 而得。化学反应式为 Si+3Hcl → SiHcl3+H2 上述反应要加热到所需温度才能进行。又因是 放热反应 反应开始后能自动持续进行。 但能量 如不能及时导出，温度升高后反而将影响产品收率。 反应除了生成 SiHcl3外， 还有 SiCl4或SiH2Cl2等氯 硅烷以及其 他杂质氯化物 如 BCl3、 PCl 、 FeCl 、 CuCl 等 三氯氢硅的提纯是硅提纯技术的重要环节 在精馏技术成功地应用于三氯氢硅的提纯后， 化 学提纯所获得的高纯硅已经可以免除物理提纯 ( 区域提纯 ) 的步骤直接用于拉制硅单品，符合器 件制造的要求。精馏是近代化学工程有效的提纯 方法，可获得很好的提纯效果。三氯氢硅精馏一 般分为两级 ，常把前一级称为粗馏， 后一级称 为精馏 。完善的精馏技术可将杂质总量降低到 10-7 ～ 10-10 量级。 用氢作为还原剂还原已被提纯到高纯度的三氯氢 硅，使高纯硅淀积在 1100 ～ 1200 ℃的热载体上。 载体常用细的高纯硅棒，通以大电流使其达到所 需温度。 化学方程式为： H2 + SiHcl3 = Si + Hcl 如氢与三氯氢硅的克分子比值按理论配比则 反应 速度慢，硅的收率太低 。氢与三氯氢硅的配比 在生产上通常选在 20 ～ 30 之间。 还原时氢通人 SiHCl3 液体中鼓泡， 使其挥发并作为 SiHCl3的携 带气体。还原时 SiHCl3反应仍不完全，因此必须 回收尾气 中的SiHCl3以减少损失。 2.硅烷热分解法 甲硅烷作为提纯中间化合物有其突 出的特点： 一 是甲硅烷易于热分解在800～900℃ 下分解即可获得高纯多晶， 还原能耗较低。 二 是甲硅烷易于提纯 在常温下为气体， 可以采用 吸附提纯方法 有效地去除杂质。 缺点是热分解时多晶的结晶状态不如其他 方法好， 而且易于生成无定型物。 高纯硅 烷气又是外延单晶、多晶、非晶硅薄膜的 重要原材料。 曾被研究的甲硅烷的制备方法有多种， 如用氢化铝锂在乙醚溶液中与四氯化硅作用可 生成甲硅 烷。过量的氢化铝锂有很好的去硼提 纯作用。类似的方法还有用氢化钠代替氢化铝 锂在醚或四氢呋喃中与四氯化硅反应以上方 法价格高，又不安全，易引起爆炸。日本小松 电子金属公司在 20 世纪 60 年代末开始采用硅烷 法生产多晶硅，用硅化镁与氯化铵反应生成甲 硅烷，化学反应如下 Mgsi 反应在液氨作为溶剂 下进行。该方法的甲硅烷产率可达 60 ％～ 70 ％，化学反应进行稳定。 硅烷法在提纯方面有许多优点有特殊的去硼技 术可以采用， 如上述的过量氢化铝锂的去硼作用。 在 液氨作为溶剂下， 用硅化镁与氯化铵反应生成甲硅烷也 有很好的去硼效果。在硅的提纯中硼是被去除的首要对 象。由于各种金属杂质不能生成类似的氢化物或者其他 挥发性化合物，使得在硅烷生成的过程中，粗硅中的金 属杂质先被大量除去。 硅烷提纯的主要技术是精馏和吸附。硅烷在常温下为气体，精馏必须在低温或低温非 常压下进行。因此，硅烷精馏比其他的精馏方法复杂 但是硅烷气体却易于用吸附法提纯 。 不需用氢还原 ，甲硅烷可以热分解为多 晶硅是硅烷法的一大优点。化学反应式如 下 甲硅烷的分解温度低， 在850℃时即可 获得好的多晶结晶。 而且， 硅的收率达90 ％ 以上。 从而达到提出较为纯净的单质 硅！ 问题：硅化学提纯中产生的成本问题 讨论：对硅材料的化学提纯工艺优化研究。 结论：从成本来看，工