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第四章 版图设计基础 ; 版图(Layout)是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，它包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。集成电路制造厂家根据这些信息来制造掩膜。; 版图是包含集成电路的器件类型、器件尺寸、器件之间的相对位置及各个器件之间的连接关系等相关物理信息的图形，这些图形由位于不同绘图层上的基本几何图形构成。;版图设计（物理层设计）;版图设计过程;版图设计过程;版图设计过程;绘图层; 掩膜层的层数可能比绘图层多很多。附加的掩膜层是从绘图层中自动生成的。 为了适应制造工艺的变化，掩膜层的尺寸可能会根据绘图层做一定的调整。这个调整会由制版工艺自动生成。所提到的“层”，都是指绘图层;绘图层;N阱层（N well）;N选择层和P选择层（N select 、P select）;多晶硅栅层;金属层;接触孔层和通孔层;多晶硅接触孔：用来连接第一层金属和多晶硅栅，其形状通常也是正方形 ;;N well;Nwell;P－type Si;P－type Si;P－type Si;P－type Si;N well;P－type Si;P－type Si;P－type Si;P－type Si;P－type Si;P－type Si;active;P－type Si;P－type Si;P－type Si;P－type Si;active;P－type Si;P－type Si;active;P－type Si;Nwell Active Poly P+ implant N+ implant Omicontact Metal;N well;;NMOS晶体管的版图;集成电路中的电阻分为:无源电阻和有源电阻， 无源电阻通常是采用掺杂半导体或合金材料制作而成 有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管在不同的工作区所表现出来的不同电阻特性来做电阻 ;硅芯片上的电子世界--电阻;MOS集成电路中的无源电阻 扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻;多晶硅电阻版图设计;P型衬底;P型衬底;（4）MOS集成电路中的有源电阻 利用MOS管的沟道电阻。所占的芯片面积要比其他电阻小的多，但它是一个非线性的电阻（电阻大小与端电压有关）。 ;;;集成电路中的集成电容 金属-金属（多层金属工艺，MIM） 金属-多晶硅 多晶硅-多晶硅（双层多晶硅工艺,PIP） 金属-扩散区 多晶硅-扩散区 PN结电容 MOS电容:多晶硅栅极与沟道（源/漏极）;平板电容;比例电容的版图结构;多晶硅-??散区电容 * 电容作在扩散区上, 它的上 极板是第一层多晶硅，下极 板是扩散区, 中间的介质是氧 化层。 在沉积多晶硅之前，先在下电极板 区域进行掺杂。;;;硅芯片上的电子世界--电感;关键尺寸与剖面图;硅芯片上的电子世界—二极管;CMOS N阱工艺中二极管结构有两种，一是psub-nwell，另一个是sp-nwell ;CMOS的设计;硅芯片上的电子世界—引线;硅芯片上的电子世界—引线;硅芯片上的电子世界—引线;P衬底;P衬底;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;N阱;;;串联晶体管的版图设计;并联晶体管的版图设计 两个晶体管只有一端连接在同一节点上;;多指结构的MOS晶体管版图设计;;; 可以将一个大尺寸的晶体管版图设计成N个小尺寸晶体管并联的阵列，而且小尺寸晶体管的相应端要连接在一起，这个由小尺寸晶体管陈列组成的新的晶体管叫做多指结构晶体管。 多只结构的晶体管栅极有N个，扩散区有N+1个，栅极连接在一起，扩散区组成一个漏源间隔的结构，每奇数个扩散区连接在一起形成源区（或漏区），每偶数个扩散区连接在一起形成漏区（源区）;衬底连接和保护环;看版图画原理图：;Out;基本逻辑门的版图设计;与非门的版图设计;或非门的版图设计 ;