PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响.pdfVIP

第29 卷 第7 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 29 No. 7 2014 年7 月 Journal of Inorganic Materials Jul., 2014 文章编号: 1000-324X(2014)07-0729-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.13549 PECVD 沉积和原位退火时间对 h-BN 薄膜组成及 光学带隙的影响 秦 毅, 赵 婷, 王 波, 杨建锋 (西安交通大学 金属材料强度国家重点实验室, 西安710049) 摘 要: 采用射频等离子增强化学气相沉积设备, 以高纯N 和B H 为气源, 制备了系列h-BN 薄膜, 得到适合生长 2 2 6 h-BN 薄膜的最佳工艺条件。在此条件下, 研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅 立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明: 在衬底 温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下, 沉积时间对h-BN 薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响, 且光学 带隙与膜厚呈指数关系变化。700 ℃原位退火不同时间对h-BN 薄膜的结晶质量有所影响, 而物相和光学带隙基本 没有改变。 关 键 词: h-BN 薄膜; 沉积时间; 退火时间; 光学带隙 中图分类号: TB34 文献标识码: A Influence of Deposition and in situ Annealing Time on Composition and Optical Band Gap of h-BN Films Deposited by PECVD QIN Yi, ZHAO Ting, WANG Bo, YANG Jian-Feng (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) Abstract: Series of h-BN films were grown by RF plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) tech- nique using high purity nitrogen and diborane as the precursor gases. The optimized experimental conditions for preparing h-BN films were explored. Based on these explorations, influences of deposition time and in situ anneal- ing time on the composition and optical band ga