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1N60-TO92.pdf
1N60
Huajing Discrete Devices
Silicon N-Channel Power MOSFET
General Description：
VDSS 600 V
1N60 , the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (TC=25℃) 3 W
which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON) 12 ?
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-92,
which accords with the RoHS standard.
Features：
Fast Switching
Low ON Resistance(Rdson≤15?)
Low Gate Charge (Typical Data:5.0nC)
Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.7pF)
100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications：
Power switch circuit of adaptor and charger.
Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）：
Symbol Parameter Rating Units
VDSS Drain-to-Source Voltage 600 V
Continuous Drain Current 0.8 A
ID
Continuous Drain Current TC = 100 °C 0.44 A
a1
IDM Pulsed Drain Current 3.2 A
VGS Gate-to-Source Voltage ±30 V
a2
EAS Single Pulse Avalanche Energy 60 mJ
a1
EAR Avalanche Energy ,Repetitive 6 mJ
a1
IAR Avalanche Current 3.4 A
a3
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 4.5 V
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