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电子0704 程浩然 U200714412 基于MEMS 技术的电容式压力传感器 摘要 本文介绍了一种接触式电容式压力传感器, 并设计了相应的加工工艺流程, 说明了其工艺的可实现性。它是一种基于MEMS 原理基础上的新型传感器，由硅- 硅键合技术制作而成，并采用了接触式结构，大大提高了传感器的线性工作范围。 关键词 MEMS 传感器 电容 压力 1　引　言 半导体传感器具有体积小、重量轻、精度高、温度特性好等特点。半导体在承受压力时禁带宽度发生变化，导致载流子浓度和迁移率变化。这样引起的电阻变化比金属丝受压时截面积减小引起的电阻变化要大两个数量级,因此半导体压力传感器具有高灵敏度。将 P型半导体与 N型半导体组合使用还可制成灵敏度更高的压力传感器。特别是传感器的制造工艺与半导体集成电路平面工艺兼容, 这就满足了传感器向智能化方向发展的要求。与压阻式压力传感器相比, 电容式压力传感器具有低温漂、高灵敏度、低噪声和较大的动态范围等显著的优点。 2　工作原理 接触式电容压力传感器由硅膜片、衬底、衬底电极和绝缘层构成。 图1 是接触式电容压力传感器的结构示意图。 （b） 图1 接触式电容压力传感器 图1( a) 是没有受到压力作用的情况, 上下电极间是一个电容结构; 图1( b) 是受压力作用后硅膜片变形的情况。这时, 可以发现电极间距d 发生了相应的变化。 MEMS电容式压力传感器包括了两个电容：一个是用于测量的测量电容Cx，另一个是用于温度补偿的参考电容Co。当膜片（上电极）受到压力p 作用时发生变形，随着压力的增大膜片与衬底的距离逐渐缩小，在压力达到接触点压力（即膜片中心接触到绝缘层时的压力）之前，测量电容器的电容值由非接触电A 片决定。 平板电容关系式为 式中, 、A、d 分别是电极间的介电场数、有效面积和极板间距。压力载荷引起的极板间距d 的变化必然会使电容C发生相应的变化。 当压力p 继续增加时，达到接触点之后，测量电容值则由非接触电容和接触电容决定。在极坐标系下的非接触电容量的积分表达式为 式中为真空介电常数；为空气的相对介电常数；为绝缘层材料的相对介电常数；为绝缘层的厚度；g 为初始间隙；w(r)为半径为r 的圆上的变形。计算时以圆形膜片的中心作为坐标原点。在一定的范围内接触区域随着压力线性地增大，从而使电容值产生线性的变化。通过选择适当膜片的尺寸、厚度和电极的间距等的器件参数，可以提高传感器的灵敏度和线性范围。 3 制作工艺 MEMS的制造技术主要包括两类技术：体微加工和表面微加工。这两类加工技术的基本材料都用硅，而加工工艺的基础都是集成电路制造技术。 A．表面微加工技术，来自金属膜的概念。在硅腐蚀的基础上，采用不同薄膜淀积腐蚀方法，在硅片表面形成不同形状的层状微结构。 B．LIGA技术 C．键合工艺，按界面材料的性质，可分为两大类： （a）硅/硅基片的直接键合工艺；（b）硅/硅基片的间接键合 3.1 扩散技术 扩散在微加工中是一种常用工艺，是使用其他基底材料对硅片进行掺杂。一般被用来氧化硅表面，在基底表面沉积所需要的不同材料的薄膜，以及在集成电路加工中在单晶基底表面生成外延层。在常用的化学气相沉积（CVD）工艺中起着重要的作用。很多为混合器和微流体器件需要使用扩散工艺。 3.2 光刻技术 光刻工艺是利用光成像和光敏胶膜在基底上图形化，它是目前唯一可在基底上制作亚微米精度图形的技术。在微系统制造中，光刻主要用来做掩模版、体硅工艺的空腔腐蚀、表面工艺中的牺牲层薄膜的成绩和腐蚀以及传感器和致动器触及电信号电路的图形化处理。 基底可由单晶硅和其他基底材料（如SiO2 和SiN）构成，光刻胶至于基底的平滑表面成为首层，再将带有光刻胶的基底在一束光通过会有预定图案的掩模版中的透明部分而曝光。光刻胶被光照射后会改变其溶解性，正胶光照后的部分易溶解，反之负胶则是未被光照的阴影处更易溶解。除去光刻胶后，在基底上就产生了一个永久的预想的图案。 3.3 腐蚀技术 腐蚀是微加工中的重要工艺之一，它指在需要的地方通过物理或化学的方法对原有材料的去除，常被用于形成MEMS 和微系统中为器件的几何形状。两种常用的腐蚀技术为湿法腐蚀和干法腐蚀。湿法腐蚀是指用稀释的化学溶液来腐蚀基底，是将要腐蚀的基底置入具有确定化学成分和固定温度的腐蚀液体里进行的腐蚀。腐蚀的速率取决于基底上被腐蚀的材料和溶液中化学反应物的浓度，以及溶液的温度。干法腐蚀是利用气体的腐蚀性，而不是利用化学药剂和清洗法来去除基地材料。干法腐蚀有三种实用技术：等离