第七章LED发光二极管选编.pptVIP

发光二极管（LED）;LED的发展 LED发光原理 LED芯片的制造过程 LED的封装与应用 未来的展望; 能源问题已成为当今人类社会的热门话题，节约能源与环保问题日趋提上议程。节能应成为各国的城市照明建设需要考虑的重要问题之一，目前约有21%的电源用于照明，如果能在固体照明领域节省一半的能源，则会对人类的节约能源作出巨大的贡献。; 20世纪中叶出现在市场上的第一批LED产品，经过50多年的发展历程，在技术上已经取得了长足的进步。现在，LED的平均发光效率已达到了70lm/W（流明/瓦特），其光强已达到了烛光级，辐射光的颜色形成了包含白光的多元化色彩，并且寿命可达到数万小时。特别是在最近几年，LED的产品质量提高了近10倍，而制造成本已下降到早期的十分之一。 这种趋势还在进一步的发展之中，从而使LED成为信息光电子新兴产业中极具影响力的新产品。世界各???国家均积极参与研发工作。 ;发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结与p区的空穴复合以光的形式释放出能量。;可见光LED的发展史; 白炽灯通常只讲瓦数而不讲流明数，白炽灯最常用的瓦数有15瓦、30瓦、45瓦、60瓦、75瓦和100瓦等。;LED的优点︰;什么是发光二极管;一般;光子与电子基本上具有三种交互方式：吸收，自发放射及激发放射。 原子的两能级E1和E2，E1代表基态，E2代表第一激发态。 在E1基态的原子吸收光子后跃迁至激发态E2，此能态的改变为吸收； 激发态原子非常不稳定，经过很短的时间，不需任何外力下会跳回基态而释放 出光子，此程序为自发放射； 当光子照射在激发态原子上，该原子被激发跃回基态而放出与照射原子同相释 放光子，此程序称为激发放射。; LED在内部结构上有和半导体二极管相似的P区和N区，相交界面形成PN结。 LED的电流大小是由加在二极管两端的电压大小来控制的。 LED是利用正向偏置PN结中电子与空穴的辐射复合发光的，是自发辐射发光，发射的是非相干光。 ;LED的工作原理; 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽 度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（nm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。 现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管。;LED材料的选择;举例;X的取值;发光材料;; 发光二极管的电流—电压特性和普通二极管大体一致。发光二极管的开启电压很低，GaAs是1.0伏，GaAs1-xPx大约1.5伏。GaP（红光）大约1.8伏， GaP （绿光）大约2.0伏。工作电流约为10mA 。工作电压和工作电流低，使得可以把它们做的很小，以至于看作点光源，这使得LED极适宜用于光显示。;LED产业分工;LED芯片的制造技术;制作LED外延片的主要方法：;等离子体增强化学气相淀积(PECVD) ：是利用高频在两平板电极之间激发气体放电形成等离子体，高化学活性的反应物可使成膜反应在较低温度下进行。 金属有机化合物气相外延（MOCVD）：在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型汽相外延生长技术。它采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料，以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延，生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。;常用的衬底主要有蓝宝石、 碳化硅和硅衬底，还有 GaAs、AlN、ZnO等材料。;利用熔合设备将蚀刻好的晶片 放入该项设备，一段时间，使 蒸镀金属层之间或蒸镀金属与 磊晶片表层原子相互熔合，目 的形成欧姆接触.;LED的测量参数：;发光二极管的应用;发光二极管应用概况;发光二极管的应用;室外大LED全彩色屏幕;城市建筑装饰灯光工程;花旗银行大厦 ;索尼全球首台蓝光DVD刻录机BDZ-S7 ;发光二极管的应用;发光二极管的应用;发光二极管的应用; ;白光LED射灯