第二章半导体器件(2-3)选编.ppt

矿石收音机;第二章 常用半导体器件原理; ;2.1.1 半导体中的载流子;一、本征半导体 Intrinsic Semiconductor  元素纯净、单一晶格结构的半导体称为本征半导体。;2、本征载流子浓度;二、杂质半导体 Doped Semiconductor;2、杂质半导体的载流子浓度;2.1.2 半导体中的电流;小结;4.2 PN结 （PN Junction）;4.2.1 PN结的形成;空间电荷区宽度与多子（掺杂）浓度的关系： 掺杂浓度越高，空间电荷区越窄（薄），UB越高； 掺杂浓度越低，空间电荷区越宽（厚），UB越低。;4.2.2 PN结的单向导电特性;三、PN结电流方程（伏安特性 V-A Characteristic ）;4.2.3 PN结的击穿特性;4.2.4 PN结的电容特性;4.2.5 PN结的温度特性;PN结最高温度限制：;2.3 晶体二极管及其基本电路;二极管结构类型：点接触型(a)；面接触型（合金型(b)，平面性(c)）。;;2.3 晶体二极管及其基本电路;2.3.2 二极管的主要参数;二极管交流电阻 rD 的关系式： 由PN结电流方程; ; ;2.3.3 晶体二极管简化电路模型; ;大信号条件下二极管电路的分析方法：;例 2.3.1 电路如图4.3.7(a)所示，计算二极管中的电流ID。已知二极管的导通电压UD(on)=0.7V，交流电阻rD≈0。 解：断开二极管D，判断两端的电压。 UAoff=E·R2/(R1+R2)=6×1/3=2V UABoff =UAoff-UBoff =2-(-6)=8V＞UD(on)=0.7V 可判断二极管处于正向导通状态， 用相应简化电路模型替代二极管D。 ∵ UA=－E+UD(on) =－6V+0.7V=－5.3V I1=(E－UA)/R1 =(6+5.3)V/2kΩ=5.65mA I2=－UA/R2 =5.3V/1kΩ=5.3mA ∴ ID= I1+I2=10.95mA≈11mA;2.3.4 稳压二极管及稳压电路;稳压二极管稳压电路 输入为不稳定的直流电压Ui﹥Uz， 必须保证在Ui 、RL变化范围内，输出 电压稳定，即Uo＝Uz。 故当Ui＝Uimin、RL＝RLmin时，应有：;例 2.3.2 如图，稳定电压UZ=6V。当限流电阻R=200Ω和R=11kΩ时，分别求出工作电流IZ和输出电压Uo。 解： 当R=200Ω时 稳压管击穿，Uo=UZ=6V。 当R=11kΩ时 结果不可能，表明当R=11kΩ时，稳压管没有击穿，相当于开路，实际 上输出电压小于稳定电压。 ;一、二极管整流电路 （Diode Rectifier） 将交流电转变为直流电，称为整流。;设UD(on)＝0.7V，则选简化模型。 1、???ui≥E+UD(on)＝2.7V时，二极管正偏导通，uo＝2.7V； 2、当ui﹤2.7V时，二极管反偏截止，uo＝ui。 限制正电压幅度称为上限幅，限制负电压幅度称为下限幅， 同时限制正负电压幅度称为双向限幅。;三、二极管电平选择电路 即从多路输入信号中选出最低或最高电平的电路。 例：二极管低电平选择电路(UD(on)=0.7V);1、 变容二极管 PN结加反向电压，利用势垒电容制作的二极管。 2、 肖特基二极管 金属与轻掺杂浓度N型半导体交界面形成的势垒区。 3、 光电二极管 利用光能在耗尽层内激发出大量电子、空穴对， 改变反向饱和电流的大小，反偏使用。 4、 发光二极管 用特殊半导体材料制成PN结，正偏时非平衡少子被复合 时，会发出可见光（红、黄、绿、兰等）和不可见光（红外 线等），且发光强度与正偏电压大小成比例。 作业：2-7、2-8、2-9、2-10。;4.4 双极型晶体管Bipolar Junction Transistor (BJT); 双极型晶体管的基本结构、类型和电路符号;; 双极型晶体管;4.4.1 晶体管工作原理;晶体管的电流分配关系;· 表示电流控制作用的两个参数： ⑴ 共发射极直流电流放大系数： IBN对ICN 的控制作用。;三、实际中用三个电极电流表示的电流分配关系： ;晶体管的放大作用; 例如，假设：⊿ui ＝100mV，⊿iE ＝1mA，RC＝2kΩ. 若晶体管 ，则 ， 得到⊿iC≈ 0.99mA， 故 ⊿uo＝⊿iCRC ＝ 0.99