第二章化学腐蚀法检测晶体缺陷选编.ppt

第2章 化学腐蚀法检测晶体缺陷;缺陷检测的意义： 硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响，它会造成扩散结面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n?结的反向漏电流增大等。 而各种缺陷的产生种类和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关。 检测方法 晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、X光貌相技术、红外显微镜及金相腐蚀显示（电化学腐蚀法）等方法。;电化学腐蚀法的特点： （1）设备简单，操作易掌握，较直观，是观察研究晶体缺陷的最常用的方法之一。 （2）可以揭示缺陷的类型、数量和分布情况，找出缺陷形成、增殖和晶体制备工艺及器件工艺的关系，为改进工艺，减少缺陷、提高器件合格率和改善器件性能提供线索。;2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂;2、电化学腐蚀：指金属或半导体材料在电解质溶液中受到的腐蚀，也是指由于形成了原电池而发生电化学作用引起的腐蚀。如图2-1-1：;2、构成硅单晶形成的电化学腐蚀的条件： （1）半导体被腐蚀的各部分或区域之间存在电位差，有正负极。 （2）不同电极电位相互接触。 （3）不同部分处于连通的电解质溶液中，构成许多微电池。 3、半导体晶体的电化学腐蚀机理: 利用半导体晶体在各种酸或碱性电解质溶液中，表面构成了微电池，由于微电池的电化学作用使晶体表面受到腐蚀，其实质是一种氧化还原反应。 ;（1）在HNO3和HF溶液电解质溶液中的腐蚀 负极： 正极： ;总反应： 无氧化剂时，发生析氢反应，反应速度较慢 正极： 注：用CrO3或铬酸加在HF中也可以提高腐蚀速度 ;（2）在NaOH和KOH溶液电解质溶液中的腐蚀 负极： 正极： 总反应： 添加中性或碱性氧化剂可以提高其腐蚀速度，如 ;二、影响半导体单晶电化学腐蚀速度的各种因素;图2-1-2 硅在70%（重量）HNO3+49%(重量）HF混合液中的腐蚀速度与成分的关系;2、电极电位:电位低的电极容易被腐蚀，电位高的电极不容易被腐蚀。电位差越大，腐蚀越快。而对于半导体晶体，决定电极电位高低的因素： 1）腐蚀液成分和导电类型（如图2-2-3） 2）载流子浓度（如图2-2-4） ;图2-2-3 n型半导体和p型半导体在中腐蚀液中的电极电位;图2-2-4 硅在90%浓HNO3+10%浓HF中的电极电位;3、缓冲剂的作用： 弱酸或弱碱，H+或OH - 不能完全电离，降低了其浓度，因此正、负极反应速度变慢。 4、温度和搅拌的速度 1）温度高腐蚀速度快。 2）搅拌可以提高腐蚀速度、改变腐蚀的择优性。 择优性：指晶体的某些晶面优先受到腐蚀，而某些晶面不容易受到腐蚀而成为裸露面。 5、光照的影响：光照的作用产生电子-空穴对，加大了为电池的作用。;三、腐蚀在半导体中的应用; 如：美国RCA超声波清洗剂（硅片清洗） （1）SC-1：主要由NH4OH、H2O2、H2O组成，简称APM，浓度比例1:1:5～1:2:7，清洗温度一般为70-80℃，PH值较高。 作用：去除硅片表面微粒、有机物颗粒和部分金属杂质（Fe、Zn、Cu、Cr、Ag等） （2）SC-2：主要由HCl、 H2O2、H2O组成，简称HPM，浓度比例1:1:5～1:2:8，清洗温度一般为70-80℃，PH较低。 作用：去除碱金属离子、Cu、Au等残余金属、Al(OH) 3、Fe(OH)3、Zn(OH) 2等氧化物。;2、晶体缺陷的显示 （1）通过择优腐蚀，得到各种形状的缺陷腐蚀坑。如图所示位错缺陷的显示： ;（2）单晶前沿的显示：掺杂半导体的杂质分凝作用引起的电阻率条纹。如图所示： ;3、抛光腐蚀 缺陷腐蚀前的前工序，有利于缺陷的更好的显示。 作用：除去切割等工序产生的机械损伤，将表面抛光成镜面 一般情况下抛光腐蚀速度大于缺陷腐蚀的速度 抛光腐蚀和缺陷腐蚀的判断：通过速度的大小关系判断，如图所示：;当 Vc?VsVd 时，为抛光腐蚀 当 Vc?VdVs时，为缺陷腐蚀;四、半导体硅的常用腐蚀剂; 先用CrO3与去离子水配成标准液： 标准液＝50g CrO3+100g H2O 然后配成下列几种腐蚀液： A. 标准液：HF=2:1(慢速液) （用于（100）晶面择优腐蚀） B. 标准液：HF=3:2(中速液) C. 标准液：HF=1:1(快速液) （ 用于（111）晶面择优腐蚀） D. 标准液：HF=1:2(快速液) （3）Dash（达希）腐蚀液 Dash腐蚀液的配方为： HF:HNO3:CH3COOH＝1:3:8 用于多个晶面腐蚀 ;;;2.2 半导体单晶硅的缺陷;（一）点缺陷 点缺陷的概念：由于晶体中空位、填隙原子及杂质原子的存在，引起晶格周期性的破坏，发生在一个或几个晶格常数的限度范围内，这类缺陷统称为点缺陷。 按其对理想晶格的偏离的几何位置及成分来划分：空位、填隙原子、外来杂质原