第五章磁畴理论选编.pptVIP

铁磁性物质的基本特征是物质内部存在自发磁化与磁畴结构。 1907年Weiss在分子场理论的假设中，最早提出磁畴的假说；而磁畴结构的理论是Landon—Lifshits在1935年考虑了静磁能的相互作用后而首先提出的。 磁畴理论已成为现代磁化理论的主要理论基础。;第一节 磁畴的起源; 但是形成磁畴后，将引起Fex与Fk的增加（即畴壁能）。 因此，磁畴数目的多少及尺寸的大小完全取决于Fd与畴壁能的平衡条件。 二、从片状磁畴说明磁畴分成小区域的原因 设想一面积较大的磁体： 情况1：自发磁化后不分畴，全部磁矩向一个方向;情况2：自发磁化形成简单的片状磁畴 此时，材料表面也出现磁极，内部也有Fd，同时，由于畴壁能的存在，需要考虑二者的共同作用。;可见尽管增加了Ew，但Fd↓，总能量↓。;■只有Fd是形成多畴结构的根本原因 因为铁磁体内磁畴形成的大小与形状及磁畴的分布模型，原则上由Fd、Fex、Fk与Fσ四种能量共同决定，磁畴结构的稳定状态也应是这四种能量决定的极小值状态，但这四种能量中，Fex使磁体内自发磁化至饱和，而自发磁化的方向是由Fk与Fσ共同决定的最易磁化方向。由此可见Fex、Fk与Fσ只是决定了一磁畴内Ms矢量的大小以及磁畴在磁体内的分布取向，而不是形成磁畴的原因，只有Fd才是使有限尺寸的磁体形成多畴结构的最根本原因。 三、决定磁畴结构的因素 除Fd外 1、磁各向异性 实际铁磁体中磁矩方向不能任意选取。(综合考虑Fex、Fk) 2、磁致伸缩，即考虑Fσ 。;第二节 畴壁结构;a、磁体中每一个易磁化轴上有两个相反的易磁化方向，若相邻二磁畴的磁化方向恰好相反，则其之间的畴壁即为180o畴壁。 b、立方晶体中 K10，易磁化方向相互垂直，相邻磁畴的磁化方向可能也是“垂直”的，——90o畴壁。 K10，易磁化方向相交夹角109o或71o，此时，两个相邻磁畴的方向可能相差109o或71o， ——90o畴壁。; 在畴壁面上无自由磁极出现，故畴壁上不会产生Hd，也能保持γw极小，但晶体上下表面却会出现磁极。但对大块晶体材料而言，因尺寸大，表面Fd极小。 b、奈尔（Neel）壁 (如图) 在很薄的材料中，畴壁中磁矩平行于薄膜表面逐渐过渡。 畴壁两侧表面会出现磁极而产生退磁场，只有当奈尔壁厚度δ薄膜厚度L时，Fd较小。故奈尔壁稳定程度与薄膜厚度有关。;三、Bloch壁的结构特性（又称Bloch壁的取向定则） 指相邻两磁畴间的畴壁取向，应使畴壁表面与内部都不会出现退磁场，以满足畴壁能量为最小，这时Bloch壁的取向最稳定。 在大块铁磁晶体内部，磁畴的取向应遵守此定则。 ;1、畴壁取向定则 相邻两磁畴中自发磁化矢量在畴壁法线方向投影分量相等。 以900畴壁为例： (1) 当900畴壁位于AB取向时;(2) 当900畴壁位于A’B’位置时;2、畴壁内磁矩取向定则 畴壁中原子磁矩在畴壁内过渡时，始终保持与畴壁法线方向夹角不变。 Z轴与畴壁法线n一致，XOY平面为畴壁面。这样，畴壁内部的每一个原子的磁化矢量Ms的取向分布只与Z轴方向上的距离变化有关，而与X、Y 轴方向无关。; 若磁化矢量Ms在畴壁内过渡要满足不出现磁荷的条件，则体磁荷ρ＝0。;四、1800Bloch畴壁的厚度与畴壁能计算 实际畴壁中磁矩的转向在畴壁厚度中是非均匀过渡的。; 在畴壁两边，即z→±∞处，磁矩在易磁化方向，Fk=0，由两边进入畴壁，θ逐渐改变， Fk 逐渐增加。 单轴各向异性的晶体，进到z=0处，Ms⊥易磁化方向，Fk最大。 立方晶体，在畴壁中点(z=0)处， Ms∥易磁化方向， Fk=0。 所以，立方晶体的Fk在畴壁的两边为零，进入畴壁后逐渐增大到最大值，再进入又减小，在z=0处又减到零。 可见，Fk是θ的函数。 ∴单位面积畴壁中的磁晶各向异性能为：; 平衡稳定状态要求能量最小，即转向角稍有改变（δθ），总能量不变（δγω＝0）。 ; 表明在畴壁内任一地方，磁化矢量的取向分布处于平衡稳定状态时，其单位体积中磁晶各向异性能 g(θ) 均与交换能A1(?θ/?z)2相等。 可见，由于g(θ)在晶体中各处不等，故?θ/?z也不均匀。; 可把θ 接近π/2处视为边界。;;;第三节 均匀铁磁体的磁畴结构计算;2、封闭畴