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改进的ZVS移相全桥拓扑的分析;电力电子与电力传动实验室 Power Electronics and Electrical Drive Lab; 1 基本ZVS拓扑介绍 ;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab; 2 原始ZVS拓扑及存在问题分析 ; 图1 基本ZVS全桥变换结构 对于该拓扑的详细工作模式详见电源类书籍（现代高频开关电源技术及应用，开关电源设计第二版或第三版）。下面介绍一下其ZVS实现条件。 ; 要实现开关管的零电压开通，必须有足够的能量来：1）抽走将要开通的开关管结电容上的电荷；2）给即将关断的开关管结电容充电；3）同时要考虑变压器初级绕组的寄生电容上的电荷。 即所需的能量为： 式中 为开关管的结电容， 为变压器初级绕组的寄生电容， 为输入电压。 超前桥臂实现ZVS相对来说比较容易，滞后桥臂实现起来相对困难一些。; 滞后桥臂ZVS实现的条件相对恶劣，原因是由于在滞后桥臂开关管交换开通时，副边的整流二极管处于换流阶段，两二极管同时开通，是变压器副边短路，使原边电压箝位在0，原副边隔离无能量流通，此时滞后桥臂开关管结电容的充放电全靠变压器漏感中能量实现。解决办法：1）增大电流（励磁电流），2）增大谐振电感。 另外，还涉及到一个占空比丢失的问题，在原边电压换向的时刻，电压已经换向，但电流却是与电压相反的方向，此时电压要对谐振电感作用，使其电流迅速下降并反向增大，在此过程中，当原边电流小于副边滤波电感电流时，不向副边功能，因此称为占空比丢失。以前的解决办法就是减小变压器原边与副边的变比，但这也会带来新的问题。 为此提出了新的解决滞后桥臂ZVS实现的方案。;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab; 为了改进之前所述基本移相的ZVS全桥拓扑存在的缺点，后面使用过程中提出了一种能改善滞后桥臂ZVS范围的结构。如下图所示。 图2 改进的移相ZVS全桥结构; 改进的ZVS拓扑优缺点分析： 优点:不仅拓宽了结构拓扑滞后桥臂在轻载条件下零电压开关的实现，降低了开关损耗，还消除了副边整流二极管的电压震荡，缩短了其反向回复时间，提高了结构的效率。 缺点：引进了两二极管增加了传导损耗，二极管的反向恢复严重。;电力电子与电力传动实验室Power Electronics and Electrical Drive Lab; 二极管在开关电源中应用非常之多，由于开关电源通常工作在高频条件下，这样二极管就会迅速开通和关断，在其快速开通和关断条件下，难免会产生较高的电压尖峰和开关损耗，这就叫反向恢复现象。 一般的二极管就一PN结（肖特基除外）。PN结结构的二极管，其P区、N区都有多数载流子和少数载流子，PN结内的载流子都存在着扩散运动和飘移运动。扩散运动是由载流子浓度不同而引起的；漂移运动则是因电场作用引起的。二极管两端加正电压时，扩散运动超过飘移运动 ,P 区与 N 区的多数载流子都不断地 向对方区域扩散,并在对方 区域中有相当数量的存储。此时,若在二极管两端突加反向电压,PN 结 内的飘移运动超过扩散运动,上述的存储电荷在电场的作用下将回到己方区域 ,或者被复合掉 ,这样就产生了一个反向电流。 ; 在这一反向电流的作用下,存储电荷被全部扫出,PN结交界处耗尽层的势垒高度增加,反向电流给二极管并联寄生电容充电,二极管 电压开始反向增大。电容电压达到一定值后,反向电流减少为二极管的反向饱合电流值IR ,二极管反向恢复的过渡过程结束。在这一过程中,反向电流( 最大值记为IRM) 在二极管内产生反向恢复损耗 ,反向电流如果流过电路中其它元件 ,还会产生附加损耗 。又由于