1-1半导体基本知识,.doc

教 案 首 页 授课形式讲授授课时数2学时授课日期第一章 1-1 半导体的基本知识备案日期2010.4.20授课章节 名 称1-1 半导体的基本知识教学目的 和要求知识 目标（1）、了解半导体的基本概念及导电特性； （2）、掌握PN结的形成及其单向导电性的原理能力 目标（1）、学会测试PN结的单向导电性 （2）、通过学习，培养学生的自学能力、观察能力，形成积极的学习习惯。 （3）、通过学习，培养分析问题的能力、协作和互助能力。教学重点PN结的形成及其单向导电性的原理教学难点PN结的形成及其单向导电性的原理教学方法引导法、分析法使用教具课外作业 习题一 1、2课后体会  教 学 过 程 及 教 学 内 容附 记【导入新课：】 1介绍该课程在整个专业课程中的地位及其在生产生活中应用的重要性； 2、导入该节课的学习内容 大多数电子元器件是用半导体、导体和绝缘体制作的，其中半导体是形成元器件特性的核心材料。为了很好地理解电路中电子元件的行为，必须首先了解半导体材料的特性。硅（Si）材料和锗(Ge)材料是迄今为止最多用于制作半导体元件和集成电路的材料，因此我们在介绍时多以硅材料为例，其它诸如镓(Ga)及其相关分子材料用于高频器件和光电子器件。 【新授课：】 一、本征半导体 原子由带正电荷的原子核和围绕原子核运动的带负电荷的电子组成，电子分布在不同的电子层上，离原子核越远的电子的电子势能越大。最外层的电子称为价电子，原子的化学特性主要由价电子决定。特别指出，位于Ⅲ组和Ⅴ中的元素的价电子分别是3个和5个，称为化合物半导体，它们也是重要的半导体材料。 1、本征半导体 纯净的半导体晶体称为本征半导体，每个Si原子周围有4个相临的Si原子，中间Si原子分别与相临的4个Si原子共享一对价电子，形成共价键，共价键的结合力使晶体中的Si原子处于固定的位置上，从而形成晶体结构。 2、载流子 当T＝0°K时，每个电子都处于最低能量状态，所有的电子都被束缚在共价键中，整个晶体中没有可以导电的自由电子，所以，绝对零度时的半导体是“绝缘体”。如果温度上升，价电子将得到热能，如果价电子所得到的能量足够大，它就可以摆脱共价键的束缚脱离最初的位置而成为自 由电子，并且在原来的位置上形成带正电荷的空穴，当受到电场的作用时自由电子就会定向移动而形成电流，我们称自由电子为载流子。  举例介绍  教 学 过 程 及 教 学 内 容附 记 3、自由电子和空穴两种载流子 本征半导体中不但自由电子可以形成电流，空穴吸引附近的束缚电子来填充，形成新的空穴，而新的孔穴又会吸引附近的束缚电子来填充，这样就好象是空穴在移动，所以空穴在外力的作用下也可以形成电流，因此在本征半导体中有浓度相等的两种载流子—带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。 二、掺杂半导体 因为在本征半导体中的电子和空穴的浓度相对小，所以只能形成很小的电流，但是我们可以用掺杂的方法来控制载流子的浓度。 N型半导体 在硅单晶中注入五价的磷（P），磷原子取代某些位置的Si原子后，最外层五个价电子中的四个与四个相邻的Si原子形成共价键，剩下的一个价电子成为自由电子 在N型半导体中，自由电子的浓度远大于空穴的浓度，因此称自由电子是多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 P型半导体 如果在硅单晶中注入三价的硼（B），硼原子最外层只有三个价电子，当硼原子取代晶格中某些Si原子后，它的三个价电子与周围的三个Si原子形成三个共价键，这样就留下了一个共价键的位置。 在P型半导体中，空穴的浓度远大于自由电子的浓度，因此空穴是多子，自由电子是少子。 说明：控制掺杂的多少可以控制多数载流子的浓度，因此，利用掺杂可以改变半导体的导电特性，我们可以根据要求进行不同浓度和不同种类的掺杂，制成我们要求的半导体器件。少子虽然浓度很低，但是对温度敏感，影响半导体的特性，是半导体特性受温度影响的主要原因。多子的浓度很高，约等于掺杂的浓度，其浓度受温度影响不大。   教 学 过 程 及 教 学 内 容附 记三、PN结的形成 1．PN结的形成 在一块单晶Si基片上，用某种工艺进行掺杂，使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，在两种半导体的交界面处就形成了PN结。PN结是构成各种半导体器件的基本结构。 扩散运动 内电场 漂移运动 平衡状态 在没有其它外部原因作用的情况下，PN结处于平衡状态，没有电流流过空间电荷区，内电场为恒定值。空间电荷区内没有载流子，所以也称其为耗尽层 2．PN结的正向导电特性 如果PN结的P区加正电压，N区加负电压，