第5章晶体管的模型.pptVIP

第五章 集成无源器件及SPICE模型 §5.1 引言 §5.2 集成无源器件及SPICE模型 §5.3 二极管及其SPICE模型 §5.4 双极型晶体管及其SPICE模型 §5.5 MOS场效应晶体管及其SPICE模型 §5.6 模型参数提取技术;5.1 引言;集成电路模拟程序SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis ) SPICE在集成电路的晶体管级模拟方面，成为工业标准的模拟程序。 集成电路设计工程，特别是模拟和模拟数字混合信号集成电路设计工程师必须掌握SPICE的应用。 本章我们将重点给出无源及有源集成元器件的SPICE电路模型和相应的模型参数。;5.2.1 薄层集成电阻器;掺杂多晶硅薄膜是一个很好的电阻材料，广泛应用于硅基集成电路的制造。 同MOS管的栅极同时制作，阻值一般为几十欧姆。 若要较高阻值，要通过增加第二层多晶硅来制作。阻值一般为几百欧姆。 特点： 制作方便，应用广泛 仍有寄生电容;不同掺杂浓度的半导体具有不同的电阻率，利用掺杂半导体的电阻特性，可以制造电路所需的电阻器。 根据掺杂方式，可分为：扩散电阻和离子注入电阻。 扩散电阻：对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻 可制作P型掺杂电阻、N型掺杂电阻、沟道电阻等 特点： 工艺简单且兼容性好 精度稍差;离子注入电阻：对半导体进行离子注入掺杂而构成的电阻。 特点： 阻值容易控制，精度较高 横向扩散小;在N阱两端用N+漏/源扩散做欧姆接触就形成N阱电阻。 在P阱两端用P+漏/源扩散做欧姆接触就形成P阱电阻。 特点： 阱电阻阻值大，精度差。;采用一些合金材料沉积在二氧化硅或其它介电材料表面，通过光刻形成电阻条。 常用的合金材料有： 钽（Ta) 镍铬（Ni-Cr) 氧化锌SnO2 铬硅氧CrSiO 特点： 较高的精度，公差可达到：0.01%～1% 具有较低的温度系数和较大的电流承载能力 但增加工艺和成本;薄层电阻的几何图形设计;方块电阻概念;材料;薄层电阻端头和拐角修正;薄层电阻温度系数;薄层电阻射频等效电路;衬底电位与分布电容;有源电阻是指采用晶体管进行适当的连接并使其工作在一定的状态，利用它的直流导通电阻和交流电阻作为电路中的电阻元件使用 双极型晶体管和MOS晶体管可以担当有源电阻。 下面讨论以MOS器件作为有源电阻情况。;MOS管作为有源电阻有多种接法，下图是栅漏短接而形成的MOS有源电阻及其I-V曲线 。;直流电阻： ;有源电阻的几种形式： ;在集成电路中，有多种实现电容的方法： 金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容； 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构的电容； 叉指金属结构的电容； 利用二极管和三极管的PN结电容； MOS电容 电容存在于任意两个在电气上被分开的导体之间 集成电路中的寄生电容包括MOS管的寄生电容以及由金属、多晶硅和扩散区连线（常称为导电通路）形成的连线电容 在集成电路设计中应尽量避免使用电容器，因集成电容器的单位面积电容量CA比较小，达到一定的电容量要较大的面积;(a)叉指结构电容和(b)MIM 结构电容 ;4.4.1 平板电容;对于高频和高速集成电路应用，电容不仅具有电容值的特征，而且会有一个并联寄生电导G、串联电感L、电阻R以及两电极的对地电容C1和C2。一个电容器的SPICE模型最好用一个包含6个元件的子电路来描述容。;随着工作频率的增高，串联电感的阻抗变得越来越高。达到某一频率，C与L变成串联谐掁回路，其固有的自谐掁频率定义如下： ;金属叉指结构电容 ;PN结电容 ;任何PN结都有漏电流和从结面到金属连线有体电阻，故其品质因数通常比较低 。 结电容的参数可采用二极管和晶体管结电容同样的方法进行计算。 电容值依赖于结面积，例如二极管和晶体管的尺寸。 PN结电容的SPICE模型就直接运用相关二极管或三极管器件的模型。; 同双极型晶体管中的PN 结 一样， 在结周围由于载流 子的扩散、漂移达到动态平 衡，而产生了耗尽层。 ;MOSFET的三个基本几何参数; MOS电容的组成;　(a)物理结构 (b)电容与Vgs的函数关系;1）当Vgs＜0时(以P型衬底为例)， 栅极的负电荷把空穴吸引到硅的表面，致使表面处于积累区。此时，栅极的半导体构成电容的一个极板，N型器件中P型衬底的高浓度空穴积累层构成电容的另一个极板。 由于积累层直接和衬底相连，其容量可近似以平板电容公式来表示:;当Vgs0时，栅极上的正电荷排斥了Si中的空穴，在栅极下面的Si表面上，形成了一个耗尽区。 耗尽区中没有可以自由活动的载流子，只有空穴被赶走后剩下的固定的负电荷。这