有源光器件和无源光器件概念.ppt

;光有源器件;光无源器件;光器件与电器件的类比;;光器件的分类;光电变换器件;光调制器件;光色散补偿器件;光网络器件;光放大器件;元件：Components;第三章 有源光器件和 无源光器件;3.1 激光的基础知识;;3.1.2 光子;;E2;E2;自发辐射是单向性的； 受激跃迁是双向的; 自发辐射概率与光强无关； 受激跃迁概率正比于光强。;3.1.4 粒子数反转;;例如：T ～103 K； kT～1.38×10-20 J ～ 0.086 eV; 在可见光和近红外，Eg=hv=E 2-E 1～1eV;;例题;课间休息;3.2 半导体光源;3.2.1 半导体激光器的特点和应用;综上所述，半导体激光器的激射条件为： 粒子数反转 受激辐射 正反馈;半导体激光器（LD）的特点：;3.2.2 半导体激光器（LD）;法不里-泊罗激光器Fabry-Perot (FP) Laser;FP-LD的结构;FP-LD的工作原理;例如：;1、必须增益大于损耗： ;相邻两个纵模的间隔λN –λN+1 ≈ λ2/2 n L 当谐振器的L=0.4mm, n=1，工作在λ= 1300 nm 附近时，计算出λN –λN+1≈ 2.1 nm ，假设增益曲线的线宽等于7nm，则这种活性介质可支持3个纵模。;分布反馈激光器Distributed Feedback (DFB) Laser;为了减少线宽，需要激光管只发射一个纵模。分布反馈激光器实现这个功能。 其在激活区附近的异质结中合并了光栅，其工作原理与镜子类似，但他仅选择反射波长为λB 的光。;a) 分布反馈激光器; ;量子阱激光器;MQW激光器是用超薄膜（厚度〈20nm〉形成有源层，能呈现量子效应的异质结半导体激光器，普通半导体激光器的有源层厚度为几百纳米到几千纳米。电子在有源层的运动是三维的，当有源层的厚度减小到20nm而与电子的自由程接近时，电子就不能在层厚方向做自由运动，只能在层面内作横向运动，电子能量变成一个个离散值，即呈现量子效应，有源层由多个薄层构成，由于载流子和光子被限制在薄层之内，从直观来看就是载流子和光子都很集中，因此容易发生激射。;MQW激光器的优点：??? （1）阈值电流小，由于其结构中“阱“的作用，使电子和空穴被限制在很薄的有源区内，造成有源层内粒子数反转浓度很高，因而大大降低了阈值电流，由于阈值电流的降低，还带来了功耗低，温度特性好的优点。??? （2）线宽变窄。由于量子阱中带间复合的特点，造成线宽增大系数a变小，从而减小了光谱中的线宽，同双异质结激光器相比，缩小了近一倍。??? （3）器件的微分增益高，注入电流的微小变化能够引起光功率的较大变化。??? （4）调制速度高。工作频段可达30GHZ。??? （5）频率啁啾小，动态单纵模特性好，纵模控制能力强。;3.2.3 发光二极管（LED） ;3.2.2 发光二极管Light-emitting Diode (LED);LED的结构;面发射同质结;LED结构截面图;;LED的工作原理;GaAs的Eg=1.435eV, 故可用它来制作0.85 ?m波长的红外LED，InGaAsP的Eg= 0.75 ~ 1. 35eV， 对应的发射波长为1.65 ~ 0.92 ?m ，考虑到光纤的低损耗窗口， InGaAsP;主要性能指标 波长通常为： 780, 850, 1300 nm 总输出功率大于几 ?W ~mW 光谱宽度 30 ~ 100 nm 相干长度约为 0.01 ~ 0.1 mm 偏振较小或不偏振 大的 NA (?难于将光耦合进光纤) ;;LED的耦合效率;a)面发射LED（朗伯源）;LED的温度特性;LED的波长和光谱宽度;LED的电特性;电容C;载流子寿命 上升/下降时间和带宽;是根据脉冲最大值的10%到90%的时间来定义的。如右上图。理想的阶跃型脉冲响应如图虚线所示；实线为由于上升/下降时间造成的脉冲失真。;归一化输出功率;电调制带宽BW是指当电功率衰减到0.707时的调制频率范围。在电子学中有其与上升时间关系式： BW=0.35/t1 LED调制带宽是在输出光功率下降到-3dB时的频带宽度。LED的频响受复合寿命τ的影响，其关系为： BW= Δω3dB=1/τ;即：增加LED的带宽是以输出功率为代价。 ;复习题 3.1.1 ;课间休息;3.3 光电探测器;3.3 光电探测器;输入输出特性： 输入光功率P，输出光电流I，射入光电二极管激活区的光子越多，产生的载流子越多，光电流越大。;;PIN光电二极管（Photodiodes）;图3.3-5 PIN光电二极管;雪崩光电二极管Avalanche photo diode (APD);1、工作原理： 在光