集成电路与器件工艺原理浅析.ppt

集成电路与器件工艺原理;外延工艺;;;外延设备 主体反应室分卧式、立式、桶式;;外延工艺的体缺陷;;100面层错;111面层错;;四探针法测电阻率;;;;氧化工艺;;;二氧化硅的显微结构;;;;;;氢氧合成水汽氧化;;;用TCA(三氯乙烷）进行的掺氯氧化;;;掺杂工艺（1）-----扩散工艺;扩散过程;;我公司目前扩散工艺：;.磷的液---固扩散：POC l3的扩散 ;;扩散参数的测量：;5掺杂工艺（2）------离子注入工艺;;;;;;;;;;;九.离子注入的缺点： 1 成本较高。 2 有注入损伤，若退火不当，会应响成品 率。;6.光刻工艺;;;;;;;2.分步讲解：;。;;;;;;;七.光刻的主要质量问题：; 2 .过蚀刻。 ; 3 蚀刻未净（小岛）。 ;;10. 针孔。 ;.干刻工艺----光刻工艺的新进展。 ;;;;;;;7.物理气相淀积-----铝层贱射工艺（SPUTTUER） ;;;;;;铝硅接触的质量问题及解决办法 ;;铝导线上铝原子的电迁移;;CVD工艺原?? （化学气相淀积）;;;;;;;;;;;;.磷硅玻璃PSG淀积： ;;;.多重内连线与平坦化工艺;;化学清洗原理（兼谈化学试剂的安全使用） ;二.硅片表面洁净度;;;;.主要的清洗剂。 ;一号液使用注意事项;;;;;.电子束蒸发工艺原理;;;;12.电镀银工艺.;;;;15.洁净室知识 IC线的生产环境控制;二.空气环境控制：;;人身发尘量 ;.人员产生最大尘埃粒径;;;DI水的测量;工业特气;.静电防护。 ;;;;化学试剂的纯度;