10_第10讲_薄膜材料物理_第四章薄膜的表面和界面.pptVIP

第四章 薄膜的表面和界面(续) 第10讲 在研究薄膜中，表面：固体和气体或真空的分界面 界面: 固体和固体的分界面 几何表面：表面的几何分界面。 物理表面：一个电子结构不同于内部的表面区域 由于具体的材料不同，表面区的厚度有很大的差异 ;§4—3 电接触;金属;Ec：导带底 Ev：价带顶 Ec即是晶体中自由电子所具有的最低能级，它相当 于晶体中静止的自由电子的能量. W：真空能级与导带底能级之差，即将晶体中静止 电子移至晶体处真空中所需要的能量——电子亲和能 逸出功Φ: 是将电子从费米能级EF移至真空中所需要 的最小能量，若以Ec为参数能级, 则 EF 费米能级是系统的化学势能，即是系统中增加一个 电子所引起系统自由能的变化。; 接触电势差是逸出功不同的两个物体接触以后， 由于电子从逸出功小的物体流向逸出功较大的物体， 最后达到平衡状态，两物体的费米能级相同。 结果前者带正电，电势降低；后者带负电，电势升高； 在两者之间产生了电势差——接触电势差 ;4.3.2 金属与金属的接触 例如Ag(银)和铜接触，逸出功不同 从能量观点来看，电子将从逸出功较小的金属 向另一金属流动，直到最高能量的电子在这两种金 属中占有相同的能级。;接触前能级图; 两金属自由电子浓度不同也要引起电势差，因为 浓度大的要向浓度小的一方扩散，从而前者带正电， 后者带负电。有自由电子论知，其静电电势差为： ;a.紧密接触;当xd-x时，电子受到金属的吸引力为： （忽略多级镜像力）; 若在外加电场E作用下如图,则电子所受电场力为 -qE,势能为-qEx.所以，电子由金属1→2所需要的功为：;总电流密度：; 三种接触电阻是并联的，并且R1R2R3;4.3.3 半导体与半导体接触;依结的宽度可分为： 实变型结：结宽仅有几个原子长度的范围内 缓变型结：结宽在几个扩散长度范围内 单边实变结：过渡在一种半导体中只有几个 原子长度，而在另一种半导体中却为几个扩散长度 同质方法 P型半导体和N型半导体接触; 这时，空间电荷层具有一定的厚度，其厚度与接触 类型和材料而异，通常是微米数量级。两边存在电位 差，其中电荷分布与电位关系服从泊松方程，由;空间电荷层; 在反向连接情况下，耗尽层（空间电荷层）加宽， 几乎没有多数载流子电流。但是，这时对于P型半导 体中少数载流子空穴来说却是正向连接，形成少数载 流子的电流（μA数量级）——饱和电流;（ａ）平衡状态下;电子处于能量为E的状态几率为：;若在P型半导体上加以正电压V，则其费米能级下降qV。 在这种情况下，虽然 不变，; 因此，在界面两边产生电子密度差（nn’’-np）, 电子从n型区向p型区扩散，从而产生从p型区向n型 区的扩散电流，其电流密度为：;式中：ND和NA分别为n区和p区的净杂质浓度 ni：为半导体的本证载流子浓度 接触电势差Vd的大小由下述三方面决定：; 薄膜p-n结二极管→窄二极管，p,n区很薄，其 厚度远小于少数载流子的扩散度，这表示在p-n结 两边，在结与欧姆接触（电极的）之间不发生电子 与空穴的复合。; （2）异质结 以n-n型同型异质结为例 假设两种n型半导体的逸出功分别为Φ1和Φ2， 亲和能分别为x1和x2，且Φ1Φ2 和x1x2， 如图;（ａ）接触前; 因为左边半导体的逸出功较小，所以接触以后， 电子从左边流向右边，结果左边半导体的费米能级 EF逐渐降低，右边半导体的费米能级逐渐升高， 直到达到平衡，使通过结的费米能级相同为止。 电子从左边流走以后，留下电离的施主，形成 一个耗尽层，而在结的右边形成自由电子的积累层 ; 为保持结的两侧费米能级相同，在界面左侧的耗 尽层中导带必须上弯。因为两侧的费米能级要达到 相同，结两边的费米能级必须相对移动Φ2-Φ1， 由此，得到左边位垒为Φ2-Φ1，即右边位垒为 （Φ2-Φ1）+（Φ1-x1）-(Φ2-x2)=x2-x1, 如图: 热激发：电子从左→右，右→左，两个方向电流相等， 总电流为零。 外加电压：右边的自由电子因为深度较高，因而具 有类金属性质，电压全部加在左边 若左边接负→位垒变小，从右→左 电流大→正向 若左边接正→位垒变宽，从左→右 电流小→反向 ∴ 这种n-n型异质结具有二极管的性质;4.3.4 金属与半导体接触;金属与n型半导体接触 当ΦmΦs时， 接触后，半导体界面层中的电子流向金属， 该层中留下带正电的施主；;（a）接触前; 金属内电子