1、恒定表面浓度的扩散.pptVIP

恒定表面浓度的扩散;余误差函数分布图：;扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，这种扩散就是有限源的扩散。;在有限源扩散情况下，表面浓度与扩散深度成反比，扩散愈深，则表面浓度愈低。;扩散结深;决定扩散结深的因素共有4个：;扩散层的方块电阻;对扩散结深影响最大的因素是扩散温度和扩散时间，特别是扩散温度。因此，在扩散过程中炉温的控制很关紧要，通常要求炉温的偏差小于等于±1℃。;扩散温度与扩散时间的选择;主要扩散方法;高浓度浅扩散中的反常现象;结深和方块电阻的测量;四探针法测量电阻率;离子注入设备;注入离子的浓度分布;二氧化硅网络;HCl的氧化过程，实质上就是在热生长SiO2膜的同时，往SiO2中掺入一定数量的氧离子的过程。氧离子较多的填补了界面附近的氧空位，形成Si－Cl负电中心，因此降低了固定正电荷密度和???面态密度（可使固定正电荷密度降低约一个数量级）。;杂质在SiO2中的扩散系数;掩蔽杂质扩散所需要的最小的SiO2层厚度;高温氧化（或称为热氧化）就是把硅衬底片置于1000℃以上的高温下，并通入氧化性气氛（如氧气、水汽），使衬底本身表面的一层硅氧化成SiO2。这是就地取材的一种好方法。;氧化层表面出现斑点氧化层针孔界面态;在生产实践中，测量SiO2层厚度的方法，目前用的最多的是光干涉法。;光刻示意图：;;侧向腐蚀示意图：;;金属－半导体接触;低