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p-n结是什么？ p-n结空间电荷区是如何形成的？p-n结空间电荷区自建电场是如何建立起来的？ 根据不同制造工艺，p-n结的杂质分布有哪几种典型情况？ 什么是导带？什么是价带？费米能级有何物理意义？ 什么是平衡p-n结？什么是p-n结平衡状态？ 平衡p-n结的能带图是怎样的？有何特点？ 平衡p-n结势垒区中电场强度有何规律？ 平衡p-n结势垒高度与哪些因素有怎样的关系？ 平衡p-n结两侧载流子浓度有怎样的关系？;非平衡载流子在扩散区中是如何分布的？（小注入） 正向p-n结中电流成分是如何转换的？ 正向p-n结电流电压公式是如何导出的？ 什么是p-n结的正向阈值电压？ p-n结正向电流公式是怎样与实验结果偏离的？为什么？ 什么是p-n结大注入效应？ 大注入自建电场是怎样形成的？ 什么是大注入自建电场？它起怎样的作用？ p-n结正、反向特性是怎样辩证统一的？;什么是耗尽层近似？ p-n结空间电荷区电场强度和电位分布是如何计算的？ 突变结和线性缓变结空间电荷区电场和电势分布各自有何规律？为什么？ 什么是p-n结势垒电容？ 什么是p-n结扩散电容？ 超突变结应该是怎样的杂质分布？ 什么是p-n结击穿？有哪几种击穿机制？ p-n结雪崩击穿条件是什么？ 影响雪崩击穿电压的因素有哪些？;9月29日;10月9日;10月13日;第1章 1、一个pn结（二极管）内有自建电场和电势差，能否用电压表测量该电势差？为什么？ 2、比较pn结势垒电容和扩散电容大小随外加电压的变化 3、比较曲面结和结端面的电场集中;10月16-20日;10月23日;10月23-27日;10月27日;10月30日;11月3日;第4章 1、试结合图2－15c、d说明，随着注入水平提高，基区中发射结侧边界少子浓度提高，而大注入时基区少子浓度梯度下降之间的统一性。 2、特大注入时，基区边界少子浓度是否还满足小注入时与电压的关系？为什么？ 第5章 1、如何理解晶体管的反向运用？ 2、饱和状态时，晶体管中电流、电压和载流子是怎样的？ 3、晶体管开关特性与频率特性对晶体管有哪些共同的要求？ 第6章 JFET漏源击穿的实质是什么？ 第7章 1. 短沟MOSFET中载流子速度饱和后，漏压继续增大会怎样？;11月6日;11月10日;11月13日;11月 日;月 ??;月 日;月 日;月 日;月 日;12月28日;12月30日;12月30日