固体物理基础--半导体教程.ppt

固体物理基础;;§ 5.1 半导体材料;半导体材料的分类 I（按功能分类）;半导体材料的分类 II（按成分分类）;半导体材料的分类 III（按结构分类）;常见半导体材料的结构;常见半导体材料的结构;热力学稳定相为钎锌矿结构，宽带隙，缺乏中心对称性，具有强的压电特性，对可见光透明等（ ZnO）;§5.2 半导体的导电机构;例如半导体 Cd S;2.两种导电机构：;; 当外电场足够强时，共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中，使半导体击穿;二. 杂质（impurity）半导体; n 型半导体 ; Si 原子浓度～1022 cm?3 则P 原子浓度～1018 cm?3;2. p型半导体;空 带; Si 原子浓度～1022 cm? 3 则B 原子浓度～1018 cm? 3;3. n型化合物半导体;化合物GaAs中掺Si;三. 杂质补偿作用;掺杂的要求;载流子浓度计算统计分布函数;假定与能级E对应的有G(E)个量子态，则 由于N和G（E）与半导体材料本身的能带结构及掺杂情况有关，因此只要知道了N 、G(E) 和温度T，就可以求出Ef。反过来，如果知道了Ef，由此可以确定各能级上的电子数及总粒子数N 可以证明费米函数等于化学势，处于热平衡状态系统有相同的化学势，所以对一个处于热平衡的系统，各处费米能级相同 ;费米函数的性质;费米函数与波耳兹曼函数;能带中的电子和空穴浓度 ;公式简化;导带电子密度;导带状态有效密度Nc的物理意义;价带状态有效密度Nv;最后简化结果;有关有效状态密度;质量作用定律;本征半导体的费米能级;本征载流子浓度;实例;杂质能级上的电子分布;杂质能级上的占据情况;施主能级;受主能级;硅的能带结构:导带 ;硅的能带结构: 价带 ;锗的能带结构:导带;GaAs的能带结构;半导体的费米能级;半导体禁带中的能级;禁带中其他能级;实例;半导体中载流子的来源;迁移率（mobility） ;迁移率的导出;半导体中的电子会在所有的方向做快速的移动，如图所示.; 当一个小电场E施加于半导体时，每一个电子会从电场上受到一个-qE的作用力，且在各次碰撞之间，沿着电场的反向被加速。因此，一个额外的速度成分将再加至热运动的电子上，此额外的速度成分称为漂移速度(drift velocity); 电子在每两次碰撞之间，自由飞行期间???加于电子的冲量为-qEτc，获得的动量为mnvn，根据动量定理可得到 ;最重要的两种散射机制：;;;;;常见半导体材料的迁移率（厘米2/伏秒）;当半导体中通以电流时，电子与空穴除热运动外还在电场的作用下作漂移运动，大小为?E 带电粒子在磁场中运动时要受到磁场引起的洛伦兹力;当霍耳电场引起的力与磁场引起的力最后达到平衡时，有;霍耳迁移率 由于磁场的存在，电子的漂移运动方向发生变化，因此以上所指的迁移率严格来说应是磁场下的迁移率;§5.5 p -n 结;平衡的PN结：没有外加偏压; 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。; p-n结处存在电势差U0形成的势垒区 。; 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势垒带来的附加势能。;二 . P - n结的单向导电性; 外加正向电压越大， 形成的正向电流也越大， 且呈非线性的伏安特性。;2. 反向偏压; 当外电场很强，反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大——反向击穿。;双极晶体管;MOS场效应晶体管;半导体器件;晶体管的发明; 每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。;尺寸效应;异质外延晶格常数差;晶格失配度 临界厚度—晶格失配时厚度;;异质结：两种不同的材料“连接”在一起形成异质结;;根据能带的不连续性，可以分为;;量子阱中的电子态和态密度;江崎岭于奈 发现半导体中的隧道效应; 霍尔效应1879年由Johns Hopkins 大学的研究生Edwin Hall发现 1978年 Klaus von Klitzing 和Th. Englert 发现霍尔平台 1980年, 注意到霍尔平台的量子化单位, 1985年, Klaus von Klitzing 获诺贝尔物理奖 1982年, 崔琦, H.L. Stomer 等发现具有分数量子数的霍尔平台; K.V.克利青 量子霍耳效应;崔琦;分数效应 崔琦, Stomer 等发现, 当Landau能级的占据数 ;LED特点;;;;Ec1;超晶格LED能带结构图; 同质结激光器——实质上是由同一种材料制成的一个p-n结（重掺杂）;;;;;; 异质p-I-n结激光器：;2）GaAs的折射率比两侧高5%，可形成全 反射