三极管和放大电路基础图例.pptVIP

3 半导体三极管及放大电路基础 3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应 第三章 半导体三极管及放大电路基础 教学内容： 本章首先讨论了半导体三极管(BJT) 的结构、工作原理、特性曲线和主要参 数。 随后着重讨论了BJT放大电路的三 种组态，即共发射极、共集电极和共基 极三种基本放大电路。还介绍了图解法 和小信号模型法，并把其作为分析放大 电路的基本方法。 教学要求： 本章需重点掌握三极管的模型与 特性；并能熟练进行基本放大电路静 态工作点的确定和输入电阻、输出电 阻、电压放大倍数的计算。 图3.1.1 几种BJT的外形 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数  Jc反偏 3.1.1 BJT的结构简介 发射极 Emitter 集电极Collector 基极Base 1、结构和符号 发射结(Je) 集电结(Jc) 发射载流子(电子) 收集载流子(电子) 复合部分电子 控制传送比例 由结构展开联想… 2、工作原理 3、实现条件 Je正偏 发射极 基极 集电极 发射区 集电区 基区 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 2. 电流分配关系 4. 三极管的三种组态 3. 放大作用 发射结正偏 发射区发射载流子 基区：传送和控制载流子 集电区收集 载流子 本质:电流分配 5. 共射极连接方式 集电结反偏 3.1.2 BJT的电流分配 与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 +iB 放大作用？ （原理） 三极管的放大作用是通过载流子传输体现出来的。 本质：电流分配关系 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏。 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IE=IB+ IC (1) IC= InC+ ICBO (2) IB= IB’ - ICBO (3) 定义 通常 IC ICBO 则有 所以 硅: 0.1A 锗: 10A  IE与IC的关系： 3. 放大作用 vI = 20mV iE = -1mA +iB 图 3.1.5 共基极放大电路  = 0.98 vO = 0.98 V 4. 三极管（放大电路）的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 如何判断组态？ 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 5.共射极连接方式 问题(1)：如何保证？ 发射结正偏 VBE =VBB VBC = VBE - VCE 0 问题(2)：信号通路？与共基有何区别？ 集电结反偏 或 VCE VBE 但希望… Ri= vI / iB =1k 5.共射极连接方式  IC与IB的关系： 由的定义： 即 IC = IE + ICBO = (IB + IC) + ICBO 整理可得: 令：  是共射极电流放大系数，只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关， 与外加电压无关。一般  1（10～100） ICBO 硅: 0.1A锗: 10A 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度最高，基区杂质浓度远低于发射区且很薄，集电区杂质浓度低于发射区且面积大。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 在vCE小于1V时，输出特性很陡。 原因是集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引力不够，这时，iC受vCE的影响很大。 当vCE大于1V后，输出特性变的比较平坦。因为集电结的电场足够强，