内存电路详解.docVIP

SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由ATX HYPERLINK /html/2007-08/423214.htm \o 把其他形式的能转换成电能的装置叫做电源 \t _blank 电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。如图5-1所示，用 HYPERLINK /html/2007-02/412525.htm \o 万用表 \t _blank 万用表测量 HYPERLINK /html/2007-08/423214.htm \o 把其他形式的能转换成电能的装置叫做电源 \t _blank 电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。 　　而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电 HYPERLINK /html/s58/2007-08/423216.htm \o 电流流过的路叫做电路 \t _blank 电路。 　　内存供电电路工作原理　　　　内存供电电路人多采用集成运算放大器驱??场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。 　　 图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准 HYPERLINK /html/s55/2006-12/409055.htm \o 电压 \t _blank 电压进入到运算放大器的 HYPERLINK /html/2007-08/423311.htm \o \t _blank 同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降下降，使得B点的电压上升。通过反馈，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B 。这个过程可以简单地描述为： 　　（IN+IN-）→（OUT ↑）→（DS ↓）→（B ↑）→（IN-↑），直到IN+=IN-。 　　同理，当IN+IN-时，它的稳压过程是这样的： 　　（IN+IN-）→（OUT↓）→（DS↑）→（B↓）→（IN-↓），直到IN+=IN-。 　　这个电路通过反馈比较，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比较放大器。 ? ? ? 　要使B点的电压稳定，必须保证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理， HYPERLINK /html/s25/2006-01/395099.htm \o \t _blank 电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为： 　　3.3V×（3.24K/（IK+3.24K》≈2.5V这是使用最简单的串联分压方法取得2.5V的基准电压。这种串联分压电路的缺点是当3.3V的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路使用TL431（三端可调分流式电压基准源）来提供基准电压，如图5-4所示。 　　那么TL431是如何提供2.5V稳定电压的？请看TL431的典型接法，如图5-5左边电路所示。 　　按照典型接法，根据TL431内部电路设计，输出电压与R2、R3有关，由下面的公式得出： 　　Vout=（R2+R3）×2.5V/R3当R2=0时，上面的公式则变成： 　? Vout = （O+R3） x 2.5V/R3=2.5V 　　也就是说当R2=0时，R3可以忽略。 ? ? ? ? 　　当R2=0（相当于将R2两端短接），且忽略R3时，就可以由典型接法演变出直接输出2.5V的接法，如图5-5右边电路所示。 　　还有另一种内存供电电路，它是使用W83301DR或W83301R系列芯片驱动场效应管给内存供电，这种芯片同时还能组成内存总线终结电路。图5-6所示为由W83301DR-O组成的内存供电电路及内存总线终结上拉电路。图5-7为由W83301DR-O组成的内存供电实际电路。 　　Q1漏极的3.3V电压由芯片控制Q6、 Q7供给，Q2漏极的电压从Q1源极取得。内存供电Vstr1与内存总线终结控制Vstr2的电压由Vset2和Vset3设置，它们之间的关系如表5-1所示。 ? ? Vset2Vset3Vstr1Vstr20VOV2.5V1.25V5VOV2.63V1.325VVset2Vset3Vstr1Vstr2OV5V2.77V1.385V5V5V2.9V1.45V　　由表5-1可以知道，Vstr2≈Vstr1/2。 对于内存无供电或供电不正常的故障，下面以图5-8所示的原理图来进行讲解 　　首先观察C2电解 HYPERLINK /html/s25/2