4、测试薄层电阻的原理分析-电阻率测试.doc

PAGE  PAGE 8 BeiJing XIHE-Sun Science?Co., Ltd. September ,2010 四探针技术测量薄层电阻的 原理及应用 刘新福，孙以材，刘东升 （河北工业大学微电子技术研究所） 1、摘要 本文对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述，重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理，并应用斜置式Rymaszewski 法研制成新型的四探针测试仪，利用该仪器对样品进行了微区（300μm×300μm）薄层电阻测量，做出了样品的电阻率等值线图，为提高晶锭的质量提供了重要参考。 关键词：四探针技术、薄层电阻、测试技术 中图分类号：TN304.07 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2004)07-0048-05 2、引言 许多器件的重要参数和薄层电阻有关，在半导体工艺飞速发展的今天，微区的薄层电阻均匀性和电特性受到了人们的广泛关注。随着集成电路研究的快速发展，新品种不断开发出来，并对开发周期、产品性能（包括IC的规模、速度、功能复杂性、管脚数等）的要求也越来越高。因此不仅需要完善的设计模拟工具和稳定的工艺制备能力，还需要可靠的测试手段，对器件性能做出准确无误的判断，这在研制初期尤其重要。四探针法在半导体测量技术中已得到了广泛的应用，尤其近年来随着微电子技术的加速