复旦大学微电子专业工程硕士课程002.ppt

第一讲应掌握的内容：;　能带论;第二讲　;;　硅的能带结构;　能带结构的简化：准自由电子近似;　不同能谷中的电子在外电场作用下，表现出具有不同的“质量”；;外电场方向;这样，在准自由电子近似下，;;准自由电子近似下，硅的能带结构示意图;;;　有效质量概念的进一步说明 ;　禁带宽度 ;　状态密度 ;;;;;　半导体能带（示意）图 ;;;2.5 热平衡载流子浓度的统计 ;;　价带空穴浓度 ;最终计算出载流子浓度，还需要知道费米能级的位置。那么，怎样才能求出费米能级的位置呢？ ;于是得到本征半导体的载流子浓度（叫做本征载流子浓度），记作 ;　半导体的导电性能 ;那么，接下来的问题是，我们能否改善半导体材料的导电性能呢？或者如何改善半导体的导电性能呢？ ;;如何使半导体的费米能级发生改变呢？;如果用一个第五主族元素的原子，比如磷原子取代一个硅原子的位置。由于磷原子最外层价电子有五个，除了其中的四个与紧邻的四个硅原子形成共价键外，尚余有一个价电子，这个电子就有可能被激发到硅的导带，形成导带电子； ;这里，所需的激发能要远远小于硅的禁带宽度是关键。从能级的角度看，希望至少在离开导带底不远的位置上引入一系列的“孤立的”电子能级，这样的能级能够向硅的导带提供电子，称之为浅施主能级。V族的磷、砷是典型的这样一类杂质。 ;当这些孤立电子能级上的电子被激发到硅的导带后，就形成了一系列孤立的电子空位。由于硅价带电子激发到这些孤立电子能级上所需能量较大，因此这些电子空位并不能参与导电，也就是不能形成空穴。于是，在这种半导体材料中，能够参与导电的导带电子浓度大于价带空穴浓度，称之为n-型半导体材料。 ;类似地，像硼等三族元素，在硅中引入浅受主能级，这些能级离开价带顶不远，能够接受价带电子而提供价带空穴；使得价带空穴浓度大于导带电子浓度，这种半导体材料称之为p-型半导体材料。这一类杂质称之为浅受主（能级）杂质。受主杂质一旦被电离（即向硅的价带提供空穴）其本身就会带上一个电子电量的负电荷，这种电荷同样不能产生运动，称之为负的固定电荷（中心）。 ;如果一块半导体材料中同时存在浅施主杂质和浅受主杂质，有效的浅能级杂质浓度等于补偿后的杂质浓度。 －－杂质的补偿效应;除了上述的浅能级杂质之外，还有一类杂质，它们提供的能级位置有别于浅能级杂质而称之为深能级杂质。如果该杂质能级向硅的导带提供一个电子而形成正的固定电荷，仍然称之为施主型杂质，但是该施主杂质能级远离导带底（仍然在禁带中）；如果该杂质能级向硅的价带提供一个空穴而形成负的固定电荷，仍然称之为受主型杂质，但是该受主杂质能级远离价带顶（仍然在禁带中）。这一类深能级杂质往往不能有效地提供参与导电的载流子，但却对半导体材料的性能产生重大的影响： ;复合中心：深能级的存在会对载流子的产生/复合过程产生重大影响，从而对半导体材料以及半导体器件的性能产生重大的影响。;　掺杂半导体的平衡载流子统计：费米能级的位置 ;严格求解费米能级，还需要知道有关杂质能级的情况和平衡统计规律。而在多数我们所关心的范围内，一般认为浅能级杂质全部电离，因而对于n-型半导体有：;类似地，对于p-型半导体有：;2.6 非平衡载流子浓度的统计：准费米能级 ;如果我们把导带及其导带中的电子看成一个子系统，把价带及其价带中的空穴看成另一个子系统，我们分别看一看这样的子系统的情况。以导带电子系统为例。;我们说半导体系统处于热平衡状态，包含以下两方面的含义：;我们已经提到，导带电子子系统随时与外界环境交换载流子，不是一个独立系统，因此不存在严格意义上热平衡的问题。;带内载流子的驰豫时间：系统与外界交换一个载流子后不再交换粒子，系统恢复热平衡状态所需时间。;于是，除了交换载流子后的１秒，一天其它的时间，导带就是一个“独立系统”了。可以引入导带电子子系统的费米能级（由子系统内载流子数量决定），对其中的电子分布进行热平衡统计了。;同样地，对于价带空穴的非平衡浓度：;平衡半导体能带图;2.7 载流子的空间分布 ;能不能简单地借用系统热平衡理论呢？;但是另一方面，从时间上统计，该区域与系统净交换载流子应该为零。从这样一个实情出发，把该区域看作“类独立子系统”，从而仍然用热力学统计规律计算该区域的载流子浓度。;这种局限性对做技术工作的人来说，并不十分重要。通过对理论的不断修正，从整体的角度，目前的器件物理仍然能够很好地反映器件的特性。因而没有必要建立也许更加精准但可能也非常复杂的理论。;2.8 载流子的产生与复合、净复合率 ;载??子的复合;-;载流子的产生／复合途径２：间接跃迁; 电子俘获　 空穴俘获 空穴发射 电子发射 　　 载流子产生　　　　　　 载流子复合 　　　　　　　声子参与的间接过程;对硅材料而言，较为重要的是声子跃