复旦大学微电子专业工程硕士课程004.ppt

第四章　MOS器件基本原理;MOS C－V;电子器件物理：我们关心什么？;4.1 MOSFET结构与能带图;4.1 MOSFET结构与能带图;　MOSFET能带图：以NMOSFET为例。;附录：准费米能级的空间变化;半导体（衬底）表面能带弯曲，但仍处于热平衡状态。;半导体表面（衬底）处于非热平衡状态。;4.2 MOSFET分类;转移特性（总是以流入漏端为电流的正方向）;4.3 基于阈值电压的简单I－V模型 ;如果空间某个范围存在载流子的稳定分布，其总电荷量为Q，而载流子在这个空间范围平均存在的时间为t，那么单位时间内从这个空间范围内消失的载流子数为：;Example:双极型晶体管基极电流;　MOSFET漏端电流：线性区;沟道渡越时间;　MOSFET漏端电流：饱和区;沟道区渡越时间;对长沟道器件，忽略L的变化，则：;Linear Region;0;4.4　缓变沟道近似和 Pao Sah 双积分I－V模型;当VGS=3V时，半导体表面达到强反型，空间电荷区电荷为：;y方向：L~1mm，VDS=5V;在求解空间电荷区时，假定沿沟道方向的电场强度的变化率远远小于沿垂直于沟道方向的电场强度的变化率。（Pao and Sah, 1966年）据此将二维泊松方程简化为一维问题。这就是缓变沟道近似的含义和目的。;qVD;F函数为：;　电流与准费米能级;上式中，-qV(y) 为电子的准费米能级，因此上式即饱含了飘移电流，也包括了扩散电流。将上式沿z-方向（沟道宽度方向）和x-方向（垂直于表面的方向）积分，就得到 y 点的总沟道电流。;xi;　沟道有效迁移率和电流－电压方程;并注意到;沟道有效迁移率，meff ，是一个与位置无关的参数。是在一定的外置偏置电压下，沟道中电子迁移率对载流子浓度的加权平均。虽然电子迁移率是一个物理量，但是沟道有效迁移率并不是一个物理量。它只是I－V模型中的一个参数，但却是一个重要参数。因为表面电子迁移率是外加电场的函数， meff一般也是外加电场（电压）的函数。;　 Pao Sah’s Double Integral;－Pao Sah’s Double Integral;4.5 电荷薄层近似下的集约化（Compact）I－V模型;总的表面电荷密度可通过氧化层电容计算：;带入;结构参数：W、L、COX（ tOX ）;　 线性区特性;当;　 饱和区特性;上式展开只保留到关于 V 的一阶项，有;即VDS VDsat时，MOSFET 进入饱和区，饱和区电流为（忽略沟道长度的变化）：;　 电子准费米能级的变化;不同漏电压下电子准费米能级随位置的变化，当VD较小时，V(y) 几乎是线性的。虚线则是反型层电子面密度随位置的变化。;4.6 亚阈值区特性和亚阈值电压摆幅 ;　 亚阈值区反型载流子密度;带入;　 亚阈值电压摆幅;S 是指在亚阈值区，使亚阈值电流下降一个数量级所需栅电压的下降。 其定义式为;S 的典型值在 70~100mV/decade之间。S值越小，MOSFET 的关断电流越小。;4.7 沟道迁移率和载流子速度饱和 ;meff;　 载流子速度饱和;