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大功率脉冲磁控溅射HIPIMS-HIPIMSbyHauzer
;Overview Presentation Hipims+ by Hauzer;Plasma technology with high % of the material to be deposited is ionized. Gaining control over stress - Control microstructure/texture
To create defect free coatings with good adhesion.
To make coatings for tool and tribo applications which outperform arc deposited coatings
To reduce thermal load of substrate
To increase deposition rate of sputtering process
;Capacitor discharge
Peak pulse powers from kW to MW
Low frequency (duty cycle)
Pulse energy and voltage can be defined
Pulse shape is determined by system configuration
Cabling
Pressure
Sputtering atmosphere
Magnetron design
;HIPIMS Plasma composition in ArN2;HIPIMS TiAlN Experiment;2D1H95
HIPIMS -95V bias;Results - Roughness;Ion energy ;Results – Hardness and E modulus;Results – Scratch test;
;Modulated Pulse Power - MPP?
High power pulse magnetron sputtering technique
Heart of technology is Multi-step DC pulse
Voltage rise time control is key to enabling a long, stable, and high power pulse discharge
Pulses widths of 200 μsec up to 1.5 msec
HIPIMS+ by Hauzer provides:
Control of the gas to metal ion ratio
Increased deposition rate (higher than HIPIMS)
Improved target utilization
Smooth, very good adhering hard coatings for tool and tribo applications.;HIPIMS vs. HIPIMS+;;Hipims+ Pulse ;Hipims+ Pulsing possibilities;Provide an additional constant voltage power supply, which can supply the required peak current at the required constant voltage. (Arc handling)
Simple Solution: use capacitor as additional CV-power supply.
Hauzer Patent: electronic switching for a fast interruption of the arc current, capable to handle the current of the capacitor discharge circuit.
;Hipims+;Ti+ ion etching (arc) + DC sputter
Ti+ ion etching (arc) + Arc
Ti+ ion etching (arc) + HIPIMS+
Ar+ etching + HIPIMS+
;HIPIMS+ Scratch summary;TiAlN ;TiAlN HIPIMS+ conclusions;HIPIMS+ Cr2N;HIPIMS+ Cr2N Microstructure;Hardness vs Peak Power Density;Cr2N Comparison of Hipims+ and closed field UBM spu
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