异质结的能带带阶.PDFVIP

物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 16 (2014) 167301 利用同步辐射光电子能谱技术测量ZnO/PbTe ? 异质结的能带带阶 蔡春锋1)2)? 张兵坡2) 黎瑞锋2) 徐天宁3) 毕岗1) 吴惠桢2) 张文华4) 朱俊发4) 1)(浙江大学城市学院信息与电气工程学院, 杭州 310015) 2)(浙江大学物理系, 杭州 310058) 3)(浙江工业大学之江学院理学系, 杭州 310024) 4)(中国科学技术大学国家同步辐射实验室, 合肥 230029) ( 2014 年 3 月 11 日收到; 2014 年 4 月 15 日收到修改稿 ) 异质结结构界面的能带带阶是一个非常重要的参数, 该参数的精确确定直接影响异质结的光电性质研究 以及异质结在光电器件上的应用. 利用同步辐射光电子能谱技术测量了 ZnO/PbTe 异质结结构的能带带阶. 测量得到该异质结价带带阶为 2.56 eV, 导带带阶为 0.49 eV, 是一个典型的类型 I 的能带排列. 利用变厚度扫 描的测量方法发现, ZnO/PbTe 界面存在两种键, 分别是 Pb—O 键 (低结合能) 和 Pb—Te 键 (高结合能). 在 ZnO/PbTe 异质结界面的能带排列中导带带阶较小, 而价带带阶较大, 这一能带结构有利于 PbTe 中的激发电 子输运到 ZnO 导电层中. 该类结构在新型太阳电池、中红外探测器、激光器等器件中具有潜在的应用价值. 关键词: 能带带阶, 同步辐射光电子能谱, ZnO/PbTe 异质结 PACS: 73.20.At, 79.60.–i, 73.40.Lq DOI: 10.7498/aps.63.167301 材料制备容易、器件结构和工艺流程简单、成本低 1 引 言 等优点, 因此具有重要的推广应用潜力 [11]. ZnO 等金属氧化物材料是目前得到广泛研究的宽带隙 IV-VI 族材料体系 (PbTe, PbSe, PbS 等) 由于 半导体材料, 具有对可见光波段透明、掺杂后导电 其特殊的光电性质而受到广泛的研究 [1?4]. 该类 性能好以及成本低廉的优点, 因此是用来制备光电 材料体系具有窄的直接带隙、较低的俄歇复合率以 器件的重要材料 [12,13], 同时也是制备透明电极的 及正的带隙温度系数等特点, 是制备可工作在室 重要材料, 在新型太阳电池的研究领域中有重要应 温下的中红外探测器、激光器的重要材料 [5?7]. 室