07电阻电容匹配探究.ppt

测得的器件比率相对于预期比率的偏离 比如一对10kΩ的电阻，制作后，测得为12.47kΩ和12.34kΩ。两电阻的比率为1.0105，比预期比率略大1%，这对电阻表现出1%的失配。 ;面变化;工艺随机变化 面变化 ;2、工艺偏差;电阻长度的选择： 设长度为20um 和40um的电阻 若多晶硅刻蚀造成ΔL=0.2um， 则实际长度比为(20.2)/(40.2)=0.503，造成0.5%的失配。因此， 把匹配电阻分成相同尺寸的电阻段消除工艺误差 ;如果方块电阻小， 导线电阻、通孔电阻不可忽略;;多晶电阻由刻蚀多晶形成，刻蚀速率取决于多晶硅开孔的大小，越大刻蚀剂进入多，速度越快，大开孔边缘处刻蚀更严重，使得距离很远 的多晶硅图形比近距离的图形宽度小。 中间电阻宽度更大一点。;增加虚拟dummy电阻，;多晶硅电容类似，将虚拟电容放置在电容周围，;5 光刻效应 光的干涉和衍射，造成线宽的变化和窄图形的变化，对1um以上没有影响，所以匹配器件不能采用亚微米尺寸； 增加虚拟单元可以避免光刻胶的显影速率的变化;如扩散电阻， 相邻扩散区的尾部交叉，N和P型彼此削弱，相同则增强，使边缘的电阻和中间的电阻值略不同。; 金属走线一般不应该大范围的从电阻上方跨过 ：在金属化系统的淀积和刻蚀过程会引入氢，氢通过消除晶粒间界的悬挂键和氢补偿能够影响多晶硅电阻的阻值。 若金属走线在电阻上方跨过，各电阻段上的金属覆盖量不同会导致金属化诱发失配。 ;应力会引起硅电阻率变化，金属和陶瓷封装应力最小，但成本高 硅和环氧树脂的热膨胀系数相差10倍，随着器件冷却产生应力;压阻效应 ;应力梯度;失配为： 减小压阻系数，选择低应力材料减少压力梯度，减小电阻质心间距; 匹配器件分成几个相同的部分，摆放成对称结构，器件的质心位于穿过阵列的对称轴的交叉点;ABA结构2:1： ABAB，因为质心不完全对准，质心间距使得器件易受应力诱发失配的影响。;确定公因子，10kΩ和25kΩ，最大公因子5kΩ，可以分成7个5kΩ的电阻段。; 电阻方块不小于5个，10个以上最好； 把分段串联或并联； 选择合适叉指结构； ;;一致性： 匹配器件的质心尽量一致 对称性 阵列的排布应关于X轴Y轴对称 分散性： 阵列应具有最大可能的分散性，器件的各段应均匀分布在阵列中 紧凑型：应尽可能紧凑，最好是正方形;二维对称轴，更好地消除梯度作用;由于电阻的温度系数，设温度系数是2500ppm/C，则两电阻相差一度， 则失配0.25% 特别是有功率器件时 越远离功率器件， 热梯度越小 ;热分布的对称轴取决于功率器件的位置和方向 器件应该置于芯片的的轴上产生对称的热分布，尽可能远离匹配器件，倾向于中央，;;只要两种材料接触，就会形成接触电势差，半导体金属的接触电势差受温度强烈影响，如果接触发生在不同的温度，电阻两端表现为电势差。 1℃将产生0.4mV电势差 分成偶数段 一半一个方向;静电场会引起载流子的耗尽和积累， 电阻容易受到电压调制的影响， 电容受周围电场耦合会引起电容值变化 静电场也能把噪声耦合到匹配电阻和电容阵列的高阻节点。 ;扩散电阻可能随着隔离岛和电阻体区电压差的变化而变化 保持隔离岛-体区的电压差相同，即可消除失配，如果电阻等值，偏压相同，就放置在同一隔离岛内。 采用方块电阻较小的电阻，电压调制也较小 多晶电阻无隔离岛;;;屏蔽层插在金属和电阻之间 屏蔽层接地，屏蔽层的衰减作用随频率增高而降低，;电阻阵列中电阻压差很小可以采用公共屏蔽层; 如果方块电阻大，电压差超过几V，要单独屏蔽;衬底也会注入噪声，可以在器件下面放置阱，接交流地，;1低度匹配 ±1%的失配，6到7位分辨率，一般模拟应用，如电流镜。 2中度匹配 ± 0.1%的失配，9到10位的分辨率，带隙基准源，运算放大器比较器的输入级。 3精确匹配 ±0.01%的失配，9到10位的分辨率，精密A/D，D/A转换器，电容比电阻容易实现。 ;1.匹配电阻用同一种材料构成 工艺、温度 2.匹配电阻宽度相同 系统失配，不同宽度可通过串并联实现 3.电阻足够大 随机失配和面积平方根成反比，小电阻是失配的主要来源，可并联实现小电阻 4.匹配电阻足够宽 低度匹配，宽度为最小宽度的150%，中度为200%，精确匹配为400%。;5.尽量使用相同的电阻图形 具有相同长度和宽度，否则易产生±1%以上的失配。 6.沿同一方向摆放匹配电阻 电阻一般水平或垂直摆放 7.匹配电阻临近摆放 失配随间距增加而增加，精确匹配应采用叉指结构 8.阵列电阻采用叉指结构 阵列化电阻采用叉指结构，产生共质心结构，宽长比不大于3:1，电阻段长是宽的10倍以上;;;;17.优先采用多晶硅电阻 多晶硅电阻比扩散电阻窄很多，较小的宽度失配不