1-2014掺杂技术-离子注入选读.ppt

第1章 离子注入（Ion Implantation） ;1 离子注入概述;所谓离子注入，就是在离子注入机 (实际上是一个小型加速器)中把离子(例如N+、c+、o+、cr+、Ag+、Y+…等各种非金属、金属离子)加速成具有几万至几十万(甚至几百万)电子伏能量的束流，并注入于固体材料的表面。; 离子束是一种带电原子或带电分子的束状流，能被电场或磁场偏转，能在高压下加速而获得很高的动能。 离子束的用途 掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、打孔、切割等。不同的用途需要不同的离子能量 E ： E 10 KeV ，刻蚀、镀膜 E = 10 ~ 50 KeV，曝光 E 50 KeV，注入掺杂 ;离子注入 ：离子束射到固体材料以后，受到固体 材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在 固体材料中 ;离子注入改性;2 离子注入系统;; 2.1、离子源 作用：产生所需种类的离子并将其引出形成离子束。 分类：等离子体型离子源、液态金属离子源（LMIS）。;离子注入系统示意图; 2.2、质量分析系统 1）、 质量分析器 由一套静电偏转器和一套磁偏转器组成，E 与 B 的方向相互垂直。;O;离子不被偏转。由此可解得不被偏转的离子的 荷质比 qo 为; 当荷质比为 qo 的离子不被偏转时，具有荷质比为qs = q/ms 的其它离子的偏转量 Db 为; 将前面的 B 的表达式 代入 Db ，得; 讨论 (1) 为屏蔽荷质比为 qs 的离子，光阑半径 D 必须满足; 2）、磁质量分析器; 从上式可知，满足荷质比 的离子可通过光阑 2。; 两种质量分析器的比较 在 质量分析器中，所需离子不改变方向，但在输出的离子束中容易含有中性粒子。磁质量分析器则相反，所需离子要改变方向，但其优点是中性粒子束不能通过。; 离子注入过程：入射离子与半导体（靶）的原子核和电子不断发生碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停止在某处。; 射程：离子从入射点到静止点所通过的总路程。 平均射??：射程的平均值，记为 R 。 投影射程：射程在入射方向上的投影长度，记为 xp 。 平均投影射程：投影射程的平均值，记为 RP 。 标准偏差：;;3 离子注入的特点;3.2.离子注入与扩散的比较;扩散;3.3.离子注入控制;注入剂量的测量和控测;;;3.4.阻止机制;核阻止 – 与晶格原子的原子核碰撞 – 大角度散射（离子与靶原子质量同数量级） – 可能引起晶格损伤（间隙原子和空位）. 电子阻止 – 与晶格原子的自由电子及束缚电子碰撞 – 注入离子路径基本不变 – 能量损失很少 – 晶格损伤可以忽略;4 注入损伤;注入损伤过程;5 退火的作用;退火前后的比较;;; 1、可控性好，离子注入能精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度，因而适于制作极低的浓度和很浅的结深； ; 6、均匀性和重复性好； ; 离子注入的 缺点;7、离子注入应用;;;多功能离子注入机;M EVVA源离子注入机的突出优点;;;;;;;实验注意事项;实验地点及内容安排