12光电子技术十四：光电成像系统-1.pptVIP

光电子技术学课件之十四： ——第五章光电成像系统 （1） §1 固体摄像器件 ;§0 光电成像概述;;噪声方面——决定接收到的信号不稳定的程度或可靠性;三、光电成像系统基本组成的框图;§1 固体摄像器件 ;固体摄像器件主要有三大类： 电荷耦合器件（Charge Coupled Device，即CCD） 互补金属氧化物半导体图像传感器（即CMOS） 电荷注入器件（Charge Injenction Device， 即CID） 目前，前两种用得较多，我们这里只分析CCD一种。;一、电荷耦合摄像器件 ;（1）、 CCD的基本结构包括：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。构成CCD的基本单元是MOS电容。; 一系列彼此非常接近的MOS电容用同一半导体衬底制成，衬底可以是P型或N型材料，上面生长均匀、连续的氧化层，在氧化层表面排列互相绝缘而且距离极小的金属化电极（栅极）。;（2）、电荷存储 ;（3）、电荷转移;表面沟道器件的特点： 工艺简单，动态范围大，但信号电荷的转移受表面态的影响，转移速度和转移效率底，工作频率一般在10MHz以下。; 体内沟道（或埋沟道CCD）： BCCD（Bulk or Buried Channel