半导体器件4教材.ppt

第四章： 单极型器件;简介;金半接触： 在电学性能上类似于单边突变结，但能作为具有高速响应特性的多数载流子工作器件来用。重掺杂半导体上的金半接触是欧姆接触的最重要形式。 JFET： 基本上是一个由电压控制的电阻。这种器件利用一个反向偏置的pn结作为栅电极去控制电阻，从而控制两个欧姆结之间的电流。 MESFET： 类似JFET，MESFET用金半整流接触去代替pn结作栅极。JFET和MESFET都可以用具有高电子迁移率的半导体材料制造，对于高速IC，具有非常好的优点。 其次，FET在大电流下具有负温度系数，即电流随温度的增加而减小，这个特点导致更均匀的温度分布，而且即使有源面积很大，或在许多器件并联使用时，其热稳定性也非常好。 ;§4.1 金属—半导体接触;M/S接触的形成;1、能带关系; ★ 金属和半导体的功函数 功函数: W= EVAC-EF, ( EVAC --真空中静止电子的能量,亦记作E0 ) 功函数给出了固 体中EF处的电子 逃逸到真空所需 的最小能量. ;金属功函数Z;关于功函数的几点说明: ① 对金属而言, 功函数Wm可看作是固定的. 功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关 ② 功函数与表面有关. ③ 功函数是一个统计物理量 ;对半导体,电子亲和能χ是固定的,功函数与掺杂有关 ;热平衡情形下M/S接触的能带图;★ 金属和半导体接触电势差;Date;②半导体一边的势垒高度: VD =∣Vms∣ ③表面势—半导体表面相对于体内的电势 Vs= Vms ④金属一边的势垒高度(肖特基势垒--SB): eΦSB = eΦns = Wm –χ ? 常常选择ΦSB为描述金属/半导体接触势垒的基本物理量(ΦSB几乎与外加电压无关);能带;M/S接触的电势分布和Poisson方程;Date;★ 金属/半导体接触的几种情况;WmWs电子势垒;对M / p型半导体: ? WmWs 能带上弯--空穴势阱 空间电荷—空穴积累 ? WmWs 能带下弯--空穴势垒 空间电荷—电离受主 势垒—阻挡层, 势阱—反阻挡层 ;WmWs空穴势垒;当金属与半导体形成紧密接触时，在热平衡下两种材料的费米能级必须相等。此外，真空能级必须是连续的。 对于这种理想的情况，势垒高度qфBn就是金属功函数和半导体电子亲和能之差， ;同样，对于理想的金属与P型半导体的接触，其势垒高度可用类似步骤确定： ;对给定的半导体，任何金属在n型衬底和p型衬底上的势垒高度之和总等于 n型半导体的自建电势为 又有： 其中qVn为半导体的导带底和费米能级之差 ;;;2、界面态对势垒高度的影响;半导体表面处, 禁带中存在表面态. 半导体与其表面态通过交换电子, 达到相互平衡 ? 由于表面态的存在,半导体表面产生空间电荷区, 能带弯曲.; 为了描述半导体表面态，引入中性能级qΦ0：当qΦ0以下的表面态全部被电子占据，而以上的全部空出时，半导体表面是中性的。低于qΦ0的界面态没有电子占据时带正电，作用相当于施主，高于qΦ0的界面态被电子占据时带负电，作用相当于受主。如果qΦ0与半导体的EF重合，则界面态和半导体内部没有电子交换，界面的净电荷为0。如果qΦ0EF，则电子从表面向体内转移，界面净电荷为正，qΦ0EF，电子从体内向表面转移，界面净电荷为负。 ;以M/n型半导体为例, 且WmWs . ① 单独考虑表面态:表面态在能隙中形成一个能带. ?设表面态的电中性能级距价带顶为eΦ0 由表面态的带电状态, 表面态可分为: ? 施主型表面态—被电子占据时, 呈电中性, 失去电子后,呈正电性. ? 受主型表面态—空态时, 呈电中性, 得到电子后,呈负电性.;对大多数半导体,表面态电中性能级距价带顶大约有 eΦ0 = ? Eg ?对p型半导体, 本征表面态常为施主型 ?对n型半导体, 本征表面态常为受主型;②半导体与其表面态通过交换电子, 达到相互平衡, 具有统一的EF . 当表面态的密度很大, EF被表面态钉扎 (钉扎于表面态电中性能级) . ? 对n型半导体: eVD =Eg –eΦ0 –(Ec –EF)n ? 对p型半导体: eVD =eΦ0 –(EF –EV)p;③考虑金属/半导体: 当带有表面态的半导体与金属接触,