第2章[逻辑门电路].ppt

第2章 逻辑门电路 ; 半导体器件的开关特性;　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。导通时阻抗很小，相当于短路；截止时阻抗很大，相当于开路。;单向导电性： 正向导通——P、N间很小的压降，相当于开关闭合。 反向截止——P、N间等效很大电阻，相当于开关断开。 二极管的开关特性表现在正向导通和反向截止这样两种不同状态之间的转换过程。;uo;;2.2、三极管的开关特性;②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：;＋;数字电路中，三极管作为一个由基极电流控制的无触点开关： 饱和导通： Vce≈ 0，C、E间相当于开关闭合。 截止：Vce≈Vcc， C、E间相当于开关断开。;2.3 基本逻辑门电路;2、二极管或门;;3、三极管非门;三极管反相器的带负载问题： 三极管反相器开关速度不高，带负载能力不强。 输出高电平时（T截止），负载使输出高电平下降。 输出低电平时（T饱和），负载可能使T退出饱和，使输出低 电平上升。 三极管T饱和程度越深，退出饱和所需时间越长（开关速度下降），但带负载能力越强。;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;TTL逻辑门电路;2.4 TTL逻辑门电路;⑴电路构成： 输入级：多发射极三极管T1、R1 作用：提高工作速度。 中间放大级：T2、R2、R3 作用：提高开关速度和提高带负载能力。 推拉式输出级：T3和T4、T5、R4、R5 作用：提高开关速度和提高带负载能力。 ;①输入信号不全为1：如uA=0.3V， uB=3.6V;3.6V;功能表;输入级提高开关速度 输入由“1”跳至“0”时，因T1射极突跳至“0”，IR1流入T1射极，而此时T2，T5尚未脱离饱和，VC1仍为1.4V，T1发射结正偏，集电结反偏处于放大状态，于是有很大的电流从T2基极流向T1，使T2基区存储电荷迅速消散，加快T2退出饱和，因而加快与非门输出由“0”向“1”的转换 ;—在T2由饱和向截止转换时，VC2升高，使T3、T4同时导通，给尚未脱离饱和的T5提供很大集电极电流，从而使T5迅速脱离饱和进入截止。 ;．输出级提高开关速度和带负载能力 输出低电平：T3和T4截止，T5饱和，T5集电极电流 全部用于驱动负载。 输出高电平：T5截止，T3和T4导通组成射随器，输 出电阻小，输出高电平稳定，带负载能 力强。;74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。;实际的与非门器件;2.TTL非门;3.TTL反相器的传输特性;（1）输入、输出高、低电压： 输出高电压VOH：TTL与非门的一个或几个输入为低电平时的输出电平。产品规范值VOH≥2.4V，标准高电平VSH＝2.4V。 输出低电压VOL：TTL与非门的输入全为高电平时的输出电平。产品规范值VOL≤0.4V，标准低电平VSL＝0.4V。 输入高电压VIH：是在额定负载下使与非门的输出电平达到标准低电平VSL的输入电平。它表示使与非门开通的最小输入电平。一般TTL门电路的VIH≈2V。 输入低电压VIL ：使与非门的输出电平达到标准高电平VSH的输入电平。它表示使与非门关断所需的最大输入电平。一般TTL门电路的VIL≈0.8V。; （2）噪声容限：表示门电路的抗干扰能力 高电平噪声容限VNH=VSH-VIH=2.4V-2.0V 低电平噪声容限VNL=VIL –VSL=0.8V-0.4V ;（3）扇入与扇出数 扇入系数NI：输入端接门的个数。取决于输入端的个数。 扇出系数NO：指一个门电路能带同类门的最大数目，它表示门电路的带负载能力。一般TTL门电路NO≥8，功率驱动门的NO可达25。;高电平输出电流IOH：输出为高电平时，提供给外接负载的最大输出电流，超过此值会使输出高电平下降。IOH表示电路的拉电流负载能力。 低电平输出电流IOL：输出为低电平时，外接负载的最大输出电流，超过此值会使输出低电平上升。IOL表示电路的灌电流负载能力。 高电平输入电流IIH：输入为高电平时的输入电流，也即当前级输入为高电平时，本级输入电路造成的前级拉电流。 低电平输入电流IIL：输入为低电平时的输出电流，也即当前级输入为低电平