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1.4半导体光电器件
*1.4 半导体光电器件 ;图 1-25 光敏电阻
(a) 结构； (b) 电路符号 ; 2. 光电二极管
光电二极管也是由一个PN结构成的硅二极管，它具有单方向导电特性。和普通二极管不同的是，它是在反向电压下工作的。 大家知道，硅二极管在反向电压作用下，只能流过微弱的反向电流，构成反向电流的是本征激发产生的少数载流子——电子-空穴对。光电二极管的管芯没有光照时，反向电流只有0.1 μΑ左右，称为暗电流；受到光线照射时，由于光激发， 产生大量的电子-空穴对(称为光生载流子)，它们在反向电压作用下， 形成较大的反向电流，称之为光电流。光的强度越大，光电流也越大。如果在外电路接上负载，光电流在负载上产生电压降， 则光信号就转化成了电信号。 ;图 1-26 光电二极管结构及符号 ;3. 光电三极管 ;1.4.2 硅光电池 ;1.4.3 半导体发光器件 ;图 1-30 发光二极管
(a) 外??； (b) 电路符号 ;2. 发光数字管 ;3. 光电耦合器 ;小 结 ; (4) PN结形成： 密度不同→多子扩散→产生内电场→少子漂移， 当扩散 漂移时，在交界面形成一层空间电荷区。
综上所述，PN结形成的思路是： ;2. PN结与二极管特性 ;当uUT时，则 ;(3) 二极管参数 ; 由图1-33(a)可知，管子的电压和电流在外电路应满足基尔霍夫电压定律， 即 ;3. 二极管电路分析 ;4. 稳压二极管 ;5. 晶体三极管
(1) 电流分配关系
共基接法： 各极直流电流关系为(不计ICBO) ; (2) 特点——放大作用 晶体管输入电压引起输入电流变化，通过晶体管电流分配关系，引起输出电流变化；再通过负载，得到输出电压变化。晶体管电压放大作用是由电流放大转化来的。 例如共射基本放大电路放大过程如下： ;(3) 共射特性曲线 包括输入特性曲线和输出特性曲线。
(4) 主要参数。
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