半导体物理（研究生用）.ppt

非晶态半导体;研究最多的非晶态半导体;非晶态半导体的结构;非晶模型;用纳米概念描述非晶态;a-Si和晶体硅的原子径向分布函数;非晶态材料的XRD谱;非晶态半导体中的电子态;安德森模型;特点;迁移率边-Mott理论;扩展态与定域态交界处的能量称作迁移率边。 由两个迁移率边确定的能量差为迁移率隙。 T=0K时，能量在定域态范围内的电子的迁移率为零。当电子态能量通过扩展态与尾部定域态交界处的临界能量，即进入扩展态时，电子迁移率突增至一个有限值。 在T?0时，定域态中的电子可以通过与非晶格子相互作用而进行跳跃式导电，故迁移率并不为零，但与扩展态中电子的迁移率相比要小得多。 当体系的费米能级处于带尾定域态范围时，只有通过热激发使电子从定域态跃迁到迁移率边以上的能态才能产生导电性能，导电性表现为非金属型的。如果费米能级进入扩展态区域，则处于扩??态中的电子将可象金属中电子那样导电，导电性表现为金属型的。 这种当费米能级通过迁移率边从定域态进入扩展态时发生的导电性从非金属到金属型的转变称做安德森转变。 ;其他非晶态半导体的能带模型;考虑到缺陷时，能带图中应包含带隙中的缺陷态。戴维斯-莫特提出了右图所示的能带模型，其中Ex和Ey分别表示由悬挂键引起的深受主和深施主态，它们互相交叠而EF则被钉扎在二者中间。 实际非晶体中的缺陷是很复杂的，而且还随着制备过程中的条件不同而改变，因此不能用这样简单的模型来说明带隙中的状态。 ;非晶态半导体的本征导电机理;扩展态电导;定域态电导;式中第一项为扩展态电导率，第二项为带尾态电导率，第三项为近程跳跃电导率，第四项为极低温度下的定域变程跳跃电导率。电导率随温度的变化情况见右图。