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第二章电力电子器件综述

电力电子应用技术;第一章内容总结;;理想开关:;;2.1 电力电子器件概述;;电力电子器件的分类;几个概念:;2.2 不可控器件;;;2.2.3 电力二极管的主要参数;2.3 半控型器件;;工作情况:;;2.3.2 晶闸管的基本特性;基本特性;阳极伏安特性;;2.3.3 晶闸管的主要参数;;;;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.双向晶闸管;电气图形符号和伏安特性 :;3.逆导晶闸管(RCT) ;4.光控晶闸管 (LTT) ;;2.4 典型全控型器件;2.4.1 门极可关断晶闸管(GTO);1.GTO的结构和工作原理 ;GTO的内部结构和电气图形符号;工作原理;2. GTO的静态特性;3.GTO的主要参数 ;2.4.2 电力晶体管(GTR);1.GTR的结构和工作原理;2.电力晶体管的基本特性;3.电力晶体管的主要参数;2.4.3 电力场效应晶体管;1.电力场效应晶体管的基本结构;;;2.电力场效应晶体管的基本特性;电力MOSFET的转移特性和输出特性 ;(2) 输出特性;3.电力场效应晶体管的主要参数;2.4.4 绝缘栅双极型??体管(IGBT) ;IGBT的产生;1.绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构;简单工作原理;2.绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本特性;(2) 输出特性;;;4. IGBT模块 ;(2) 二单元IGBT模块 ; (3) 三单元IGBT模块;2.4.5 功率集成模块(PIM)和智能功率模块(IPM);功率集成电路(PIC) ;1、功率集成模块(PIM) ;IGBT组成的三相桥功率集成模块 ;2.智能功率模块(IPM);IPM电路的封装形式;②双管封装(二合一型)——应用最多;③六合一封装;④七合一封装;2.5 其他全控型电力电子器件;2.5.2 静电感应晶闸管(SITH);2.5.3 集成门极换流晶闸管(IGCT) ;应用场合:;2.5.4 电子注入增强栅晶体管(IEGT) ;2.6 宽禁带电力电子器件;;2.6.1 碳化硅器件;2.6.2 氮化镓(GaN)器件;2.6.3 金刚石器件 ;;

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