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微弱信号检测课件2(高晋占-清华大学出版)

第二章 放大器的噪声源和噪声特性 噪声源 内部固有噪声 外部干扰噪声 电场干扰噪声 磁场干扰噪声 电磁辐射噪声 地电位差噪声 公共阻抗耦合噪声 热噪声 散弹噪声 1/f噪声 爆烈噪声 本章内容 2. 1 电子系统内部固有噪声源 2. 2 放大器的噪声系数 2. 3 放大器噪声性能分析 2. 4 BJT的噪声特性 2. 5 场效应管(FET)的噪声特性 2. 6 运算放大器的噪声特性 2. 7 低噪声放大器设计 2.1 电子系统内部固有噪声源 2.1.1 电阻的热噪声 1. 起因:电阻中电子的随机热运动,又称为Johnson 噪声。 2.功率谱密度函数 式中: - 热噪声的功率谱密度函数, k-玻尔兹曼(Boltzman)常数, T -电阻的绝对温度,K; 3.幅度分布:零均值高斯分布。 4.热噪声的等效功率 式中:B—系统的等效噪声带宽(Hz); 5.热噪声电压有效值(rms值) 例:温度为17°C,在带宽为100kHz的放大电路中, 的电阻两端所呈现的开路热噪声电压有效值。 6.电阻等效电路 例: 试证明温度相同的两个电阻 和 相串联所产 生的等效热噪声有效值 解: 叠加后的功率为 两边开方得 等效输出电阻为 7.阻容并联电路的热噪声 热噪声电压有效值 2.1.2 散弹噪声 1.起因: P-N结载流子的随机发射与随机扩散; 空穴电子对的随机产生与组合。 2.功率谱密度函数 式中: 电子电荷; 流过PN结的平均直流电流。 3.散弹噪声电流的功率 4.散弹噪声电流的有效值(均方根值)为 上式表明,单位带宽方根的 只是 的函数。 5. 的幅度分布: 高斯分布 2.1.3 1/f 噪声 1.起因:两种导体接触点电导的随机涨落,因此又称接触噪声。 2.早期的1/f 噪声模型 功率谱密度函数 式中: 流过样品的直流电流平均值, A ; 取决于接触面材料类型和几何形状的系数。 3.迁移率涨落模型 式中: 样品中的载流子总数; 无量纲的Hooge系数, 上式就退化为早期模型。 4.幅度分布:高斯分布 2.1.4 爆烈噪声(Burst Noise) 1.起因:半导体材料中的杂质(通常是金属杂质) 随机发射或俘获载流子。 2.爆烈噪声脉冲的宽度:1 ms~0.1 s 量级。 3.脉冲的幅度:约为 4.出现的几率:每秒几百个到几分钟一个。 5.功率谱密度 式中: 直流电流; 取决于半导体材料中杂质情况的常数; 转折频率,当 功率谱密度曲线趋于平坦 6.特点:电流型噪声,在高阻电路中影响更大。 通过改善半导体制作工艺,减少杂质数量,爆烈噪声 可得以改善。 2.2 放大器的噪声系数 2.2.1 噪声系数(Noise Factor)和噪声因数(Noise Figure) 1.输入端信噪比 2.输出端信噪比 3.放大器的噪声系数F (1) 表示信噪比恶化程度 (2)输出端噪声总功率和输入端噪声功率在输出端的比值 式中 : 放大器的功率增益; 输出噪声总功率; 放大器无噪声时的输出噪声功率。 4 . 噪声因数NF(Noise Figure): 5 . 噪声系数特点: 随放大器的偏置电流、工作频率、温度及信号源内阻而变化。 6 .放大器可检测的最小信号 例:放大器的输入噪声只有源电阻 的热噪声,温度为17°C,放大器等效噪声带宽为 噪声系数 F=2,要求 试求系统可检测的最小信号 。 解: 2.2.2 级联放大器的噪声系数 弗里斯公式[Friis]: 注意:各级噪声系数对总噪声系数的影响是不同的,越是前级影响越大。如果 足够大,系统总的噪声系数F主要取决于第一级的噪声系数 。 放大器 功率增益 A B C 例:用三个放大器串级联接来放大微小信号,其功率增 益和噪声系数如下表: 如何联接才能

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