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微弱信号检测课件2(高晋占-清华大学出版)
第二章 放大器的噪声源和噪声特性
噪声源
内部固有噪声
外部干扰噪声
电场干扰噪声
磁场干扰噪声
电磁辐射噪声
地电位差噪声
公共阻抗耦合噪声
热噪声
散弹噪声
1/f噪声
爆烈噪声
本章内容
2. 1 电子系统内部固有噪声源
2. 2 放大器的噪声系数
2. 3 放大器噪声性能分析
2. 4 BJT的噪声特性
2. 5 场效应管(FET)的噪声特性
2. 6 运算放大器的噪声特性
2. 7 低噪声放大器设计
2.1 电子系统内部固有噪声源
2.1.1 电阻的热噪声
1. 起因:电阻中电子的随机热运动,又称为Johnson 噪声。
2.功率谱密度函数
式中: - 热噪声的功率谱密度函数,
k-玻尔兹曼(Boltzman)常数,
T -电阻的绝对温度,K;
3.幅度分布:零均值高斯分布。
4.热噪声的等效功率
式中:B—系统的等效噪声带宽(Hz);
5.热噪声电压有效值(rms值)
例:温度为17°C,在带宽为100kHz的放大电路中,
的电阻两端所呈现的开路热噪声电压有效值。
6.电阻等效电路
例: 试证明温度相同的两个电阻 和 相串联所产
生的等效热噪声有效值
解: 叠加后的功率为
两边开方得
等效输出电阻为
7.阻容并联电路的热噪声
热噪声电压有效值
2.1.2 散弹噪声
1.起因:
P-N结载流子的随机发射与随机扩散;
空穴电子对的随机产生与组合。
2.功率谱密度函数
式中: 电子电荷;
流过PN结的平均直流电流。
3.散弹噪声电流的功率
4.散弹噪声电流的有效值(均方根值)为
上式表明,单位带宽方根的 只是 的函数。
5. 的幅度分布: 高斯分布
2.1.3 1/f 噪声
1.起因:两种导体接触点电导的随机涨落,因此又称接触噪声。
2.早期的1/f 噪声模型
功率谱密度函数
式中:
流过样品的直流电流平均值, A ;
取决于接触面材料类型和几何形状的系数。
3.迁移率涨落模型
式中: 样品中的载流子总数;
无量纲的Hooge系数,
上式就退化为早期模型。
4.幅度分布:高斯分布
2.1.4 爆烈噪声(Burst Noise)
1.起因:半导体材料中的杂质(通常是金属杂质)
随机发射或俘获载流子。
2.爆烈噪声脉冲的宽度:1 ms~0.1 s 量级。
3.脉冲的幅度:约为
4.出现的几率:每秒几百个到几分钟一个。
5.功率谱密度
式中: 直流电流;
取决于半导体材料中杂质情况的常数;
转折频率,当 功率谱密度曲线趋于平坦
6.特点:电流型噪声,在高阻电路中影响更大。
通过改善半导体制作工艺,减少杂质数量,爆烈噪声
可得以改善。
2.2 放大器的噪声系数
2.2.1 噪声系数(Noise Factor)和噪声因数(Noise Figure)
1.输入端信噪比
2.输出端信噪比
3.放大器的噪声系数F
(1) 表示信噪比恶化程度
(2)输出端噪声总功率和输入端噪声功率在输出端的比值
式中 : 放大器的功率增益;
输出噪声总功率;
放大器无噪声时的输出噪声功率。
4 . 噪声因数NF(Noise Figure):
5 . 噪声系数特点:
随放大器的偏置电流、工作频率、温度及信号源内阻而变化。
6 .放大器可检测的最小信号
例:放大器的输入噪声只有源电阻 的热噪声,温度为17°C,放大器等效噪声带宽为 噪声系数
F=2,要求 试求系统可检测的最小信号 。
解:
2.2.2 级联放大器的噪声系数
弗里斯公式[Friis]:
注意:各级噪声系数对总噪声系数的影响是不同的,越是前级影响越大。如果 足够大,系统总的噪声系数F主要取决于第一级的噪声系数 。
放大器
功率增益
A
B
C
例:用三个放大器串级联接来放大微小信号,其功率增
益和噪声系数如下表:
如何联接才能
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