数字电路课件第3章清华1.pptVIP

补：半导体基础知识;半导体基础知识（1）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（2）;半导体基础知识（3）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（4）;半导体基础知识（5）;第三章 门电路;3.1 概述;获得高、低电平的基本原理;理想开关;正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1;3.2半导体二极管门电路;3.2.1二极管的开关特性：;二极管的动态电流波形：;3.2.2 二极管与门;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点;数字集成电路的分类 ; 目前数字系统中普遍使用TTL和CMOS集成电路。 TTL集成电路工作速度高、 驱动能力强，但功耗大、集成度低； MOS集成电路集成度高、功耗低。超大规模集成电路基本上都是MOS集成电路，其缺点是工作速度略低。 目前已生产了双极性互补型金属氧化物半导体（ BiCMOS）器件，它由双极型晶体管电路和MOS型集成电路构成，能够充分发挥两种电路的优势， 缺点是制造工艺复杂。; 小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration)， 每片组件内包含10~100个元件(或10~20个等效门)。 中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration)，每片组件内含100~1000个元件(或20~100个等效门)。 大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration)， 每片组件内含1000~100 000个元件(或100~1000个等效门)。 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration)， 每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)。 ; 目前常用的逻辑门和触发器属于SSI， 常用的译码器、 数据选择器、 加法器、 计数器、 移位寄存器等组件属于MSI。 常见的LSI、 VLSI有只读存储器、 随机存取存储器、 微处理器、 单片微处理机、 位片式微处理器、 高速乘法累加器、 通用和专用数字信号处理器等。 此外，还有专用集成电路ASIC， 它分标准单元、 门阵列和可编程逻辑器件PLD。 PLD是近十几年来迅速发展的新型数字器件， 目前应用十分广泛， ;3.3 CMOS门电路;以N沟道增强型为例：;以N沟道增强型为例分析开关特性： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0----开关断开 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） ----开关闭合 ;二、输入特性和输出特性;漏极特性曲线（分三个区域）;截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω;恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 ;可变电阻区：当VDS 较低（近似为0），VGS 一定时;三、MOS管的基本开关电路;四、等效电路;五、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器;二、传输特性;电压传输特性;三、输入噪声容限;3.3.3 CMOS 反相器的静态特性;二、输出特性;二、输出特性;3.3.4 CMOS反相器的动态特性;二、交流噪声容限 三、动态功耗; 从以上分析看出，CMOS电路有以下特点： ① 静态功耗低。CMOS反相器稳定工作时总是有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流，因而静态功耗很低，有利于提高集成度。 ② 抗干扰能力强。由于其阈值电压UT=1/2UDD，在输入信号变化时，过渡区变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等。约为0.45UDD。同时，为了提高CMOS门电路的抗干扰能力，还可以通过适当提高UDD的方法来实现。这在TTL电路中是办不到的。 ; ③ 电源电压工作范围宽，电源利用率高。标准CMOS电路的电源电压范围很宽，可在3~18V范围内工作。当电源电压变化时，与电压传输特性有关的参数基本上都与电源电压呈线性关系。CMOS反相器的输出电压摆幅大，UOH=UDD, UOL=0V，因此电源利用率很高。 ;3.3.5 其他类型的CMOS门电路;2、 CMOS或非门;3、带缓冲极的CMOS门;带缓冲极的CMOS门;二、漏极开路的门电路（OD门）;应用：;三、 CMOS传输门及双向模拟开关;2. 双向模拟开关;四、三态输出门;三态门的用途;从供电电源区分： 5VCMOS门电路和3.3VCMOS门电路两种。 3