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第一部分 集成电路基础知识 ?1.1 CMOS集成电路器件基础 1.1.1 MOS结构（1）MOS结构的堆积状态（Accumulation Mode） 1.1.1 MOS结构（2）MOS结构的耗尽状态（ Depletion Mode ） 1.1.1 MOS结构（3）MOS结构的反型状态（ Inversion Mode ） 1.1.2 MOS晶体管 1. MOS晶体管的结构 1.1.2 MOS晶体管  2. MOS晶体管截止状态（以NMOS为例） 1.1.2 MOS晶体管 3. MOS晶体管非饱和工作状态（以NMOS为例） 1.1.2 MOS晶体管 4. MOS晶体管的饱和工作状态（以NMOS为例） 1.1.2 MOS晶体管 5. NMOS晶体管的伏—安特性 1.1.2 MOS晶体管 6. PMOS晶体管的伏—安特性 1.1.2 MOS晶体管 7. MOS晶体管的符号 1.1.2 MOS晶体管 8. MOS晶体管的二阶效应 1.1.3 MOS电容的C—V特性 ?1.2 CMOS集成电路制造工艺 1.2.1 衬底准备 1.2.2 氧化、光刻N-阱(nwell) 1.2.3 N-阱注入， N-阱推进, 清洁表面 1.2.4 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) 1.2.5场区氧化（LOCOS） , 清洁表面 利用氮化硅抗高温氧化的作用，实现场区氧化——局部氧化，提高场开启MOS管阈值电压，降低氧化层台阶高度。 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 1.2.6 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂 反刻多晶（polysilicon—poly) 1.2.7 P+ active注入（Pplus） （ 硅栅自对准：利用硅栅的遮蔽作用形成PMOS沟道，实现沟道与硅栅自对准，提高PMOS沟道尺寸的精度，减小寄生电容） 1.2.8 N+ active注入（Nplus ——Pplus反版） （ 硅栅自对准：利用硅栅的遮蔽作用形成NMOS沟道，实现沟道与硅栅自对准，提高NMOS沟道尺寸的精度，减小寄生电容） 1.2.9 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 1.2.10 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) 1.2.11 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) 1.2.12 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) 1.2.13 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad) 1.2.14 光刻掩膜版简图汇总 1.2.15 N阱CMOS集成电路工艺中MOS管的特点 ?1.3 CMOS反相器（inverter）基本原理 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.1 CMOS反相器状态分析 1.3.2 CMOS反相器噪声容限 1.3.2 CMOS反相器噪声容限 1.3.3 CMOS反相器瞬态特性 （开关特性—速度） 1.3.3 CMOS反相器瞬态特性 （开关特性—速度） 1.3.3 CMOS反相器瞬态特性 （开关特性—速度） 1.3.3 CMOS反相器瞬态特性 （开关特性—速度） 1.3.4 CMOS反相器功耗特性 1.3.4 CMOS反相器功耗特性 1.3.4 CMOS反相器功耗特性 1.3.5 CMOS反相器的最佳设计 1.3.5 CMOS反相器的最佳设计 1.3.5 CMOS反相器的最佳设计 1.3.5 CMOS反相器的最佳设计 1.3.6 CMOS反相器版图举例 ?1.4 传输门电路 1.4.1 NMOS传输门 1.工作原理 1.4.1 NMOS传输门 2.应用特点 1.4.2 PMOS传输门 1.工作原理 1.4.2 PMOS传输门 2.应用特点 1.4.3 CMOS传输门 1.工作原理 1.4.3 CMOS传输门 2.应用特点 ?1.5 CMOS逻辑门电路 1.5.1 CMOS与非门（nand?） 1.电路结构 1.5.1 CMOS与非门（nand?） 2.性能分析 1.5.1 CMOS与非门（nand?） 3.版图举例 1.5.2 CMOS或非门（nor?） 1.电路结构 1.5.2 CMOS或非门（nor?） 2.性能分析 1.5.2 CMOS或非门（nor?） 3.版图举例 1.5.3 CM